[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201980070928.8 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN113056813A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 梅田宗一郎;久徳淳志 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
本发明涉及的半导体装置1包括:基板10;芯片20,形成有表面电极22;以及引线30,其具有:配置在表面电极22上并经由导电性接合材料50与芯片20的表面电极22电连接的第一电极连接部32、与布线图案11的电极部15电连接的第二电极连接部34、以及与第一电极连接部32以及第二电极连接部34连接,并且作为第一电极连接部32与第二电极连接部34之间的电流导通路的电流导通部36,其中,从平面上看,引线30进一步具有:设置在第一电极连接部32的外周中未连接电流导通部36的部分上的,将施加于设置在第一电极连接部32与表面电极22之间的导电性接合材料50上的热收缩应力均等化的热收缩应力均等化结构40。本发明的半导体装置1能够将导电性接合材料的厚度保持在固定水平上,具有高可靠性。
技术领域
本发明涉及一种半导体装置。
背景技术
以往,已知一种有芯片和引线通过导电性接合材料(焊锡)接合的半导体装置(例如,参照专利文献1)。
以往的半导体装置900如图7(a)所示,包括:基板910,其表面形成有布线图案;芯片920,载置在基板910上,在基板910侧的相反侧的面上形成有表面电极922;以及引线930,配置在表面电极922上,并且具有:通过作为导电性接合材料的焊锡950(参照图7(b))与芯片920的表面电极922电连接的第一电极连接部932、与布线图案的电极部连接的第二电极连接部934、以及与第一电极连接部932以及第二电极连接部934连接,并作为第一电极连接部932与第二电极连接部934之间的电流导通路的电流导通部936。
根据以往的半导体装置900,由于其所具备的引线930被配置在表面电极922上,并且引线930具有:通过作为导电性接合材料的焊锡950(参照图7(b))与芯片920的表面电极922电连接的第一电极连接部932、与布线图案的电极部连接的第二电极连接部934、以及与第一电极连接部932以及第二电极连接部934连接,并作为第一电极连接部932与第二电极连接部934之间的电流导通路的电流导通部936,因此与使用导电性导线的半导体装置相比,是一种可以导通大电流的半导体装置。
先行技术文献
【专利文献1】特开2015-176916号公报
然而,在以往的半导体装置900中,在加热基板910、芯片920及引线930后用焊锡950接合芯片920和引线930时,施加在焊锡950上的热收缩应力有时会产生差异。例如,如图7(b)所示,在第一电极连接部932的电流导通部936侧,焊锡950沿着引线930的芯片920侧的面延展,与此相对的,在与电流导通部936侧相反一侧,焊锡950不仅在引线930的芯片920侧的面上浸润扩展,而且还会延展至引线930的侧面(第一电极连接部932的侧面)上,因此,对于与引线930接触的焊锡950的表面积(包括引线930的表面及侧面)而言,位于第一电极连接部932的一侧(电流导通部936侧)就和其相反侧存在差异,从而导致施加在芯片920和引线930之间的焊锡950上的热收缩应力产生出差异。在这种情况下,在焊锡950固化时(焊锡凝集时),芯片920有可能产生倾斜,出现局部地有可能产生焊锡950的厚度变薄的情况,导致难以制成具有高可靠性的半导体装置。这种问题不仅在使用焊锡时产生,在使用焊锡以外的导电性接合材料时也会产生。
鉴于上述问题,本发明的目的是提供一种具有该可靠性的半导体装置。
发明内容
【1】本发明涉及的半导体装置,其特征在于,包括:
基板,其表面形成有具有电极部的布线图案;
芯片,配置在所述基板上,并且在与所述基板侧相反一侧的面上形成有表面电极;以及
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