[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一半导体元件和第二半导体元件，该第一半导体元件和第二半导体元件各自具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的元件主面和元件背面、配置在所述元件背面的元件第一电极以及配置在所述元件主面的元件第二电极；

第一引线，其具有在所述厚度方向上彼此朝向相反侧的引线主面和引线背面；

覆盖所述第一引线、所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的绝缘层；

与所述第一半导体元件的所述元件第二电极导通的第一电极；和

与所述第一引线导通的第二电极，

所述第一半导体元件和所述第一引线以所述第一半导体元件的所述元件背面与所述引线主面相对的姿态接合在一起，

所述第二半导体元件和所述第一引线以所述第二半导体元件的所述元件背面与所述引线背面相对的姿态接合在一起。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在还具有配线图案和通孔的结构中，

所述绝缘层具有在所述厚度方向上彼此朝向相反侧的绝缘层主面和绝缘层背面，

所述配线图案形成于所述绝缘层主面和绝缘层背面的至少一者，

所述通孔在所述绝缘层主面或者所述绝缘层背面开口，

所述第一半导体元件的所述元件第二电极与所述第一电极的导通路径以及所述第一引线与所述第二电极的导通路径，由所述配线图案和所述通孔构成。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一电极和所述第二电极配置在所述绝缘层背面。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

在还具有与所述第二半导体元件的所述元件第二电极导通的第三电极的结构中，

所述第一半导体元件的所述元件第一电极和所述第二半导体元件的所述元件第一电极与所述第一引线电连接。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

在还具有与所述第二半导体元件的所述元件第一电极电连接的第二引线和与所述第二引线导通的第四电极的结构中，

所述第一半导体元件的所述元件第一电极与所述第一引线电连接。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一半导体元件经由导电性的接合层接合于所述第一引线，并且经由绝缘性的接合层接合于所述第二引线，

所述第二半导体元件经由绝缘性的接合层接合于所述第一引线，并且经由导电性的接合层接合于所述第二引线。

7.如权利要求5或6所述的半导体器件，其特征在于：

所述第二半导体元件的所述元件第二电极与所述第一电极导通。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

还具有第三引线，其与所述第一半导体元件的所述元件第二电极和所述第一电极导通，并且被所述绝缘层覆盖。

9.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

在还具有与所述第二半导体元件的所述元件第一电极电连接的第三引线的结构中，

所述第一半导体元件的所述元件第一电极与所述第一引线电连接，

所述第三引线与所述第一电极导通。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一半导体元件经由导电性的接合层接合于所述第一引线，

所述第二半导体元件经由绝缘性的接合层接合于所述第一引线，并且经由导电性的接合层接合于所述第三引线。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

在还具有第五电极的结构中，

所述第一半导体元件和所述第二半导体元件分别具有配置于所述元件主面的元件第三电极，

所述第五电极与所述第一半导体元件的所述元件第三电极导通。