[发明专利]半导体器件

说明书

本发明提供半导体器件，其具有第一半导体元件和第二半导体元件，各半导体元件具有元件主面和元件背面，并且具有配置在上述元件背面的元件第一电极和配置在上述元件主面的元件第二电极。另外，半导体器件包括：具有引线主面和引线背面的第一引线；覆盖上述第一引线、上述第一半导体元件和上述第二半导体元件的绝缘层；与上述第一半导体元件的上述元件第二电极导通的第一电极；和与上述第一引线导通的第二电极。上述第一半导体元件和上述第一引线以上述第一半导体元件的上述元件背面与上述引线主面相对的姿态接合在一起。上述第二半导体元件和上述第一引线以上述第二半导体元件的上述元件背面与上述引线背面相对的姿态接合在一起。

技术领域

本发明涉及半导体器件。

背景技术

搭载有多个MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等的功率半导体元件，用于电源装置等的功率用半导体器件的需求正在增加。在专利文献1中公开了现有技术的半导体器件的一例。该文献中公开的半导体器件，在绝缘基板的一个面设置导体图案，使各半导体元件的背面电极与导体图案接合，将多个半导体元件搭载在绝缘基板中。

半导体器件的表面积(与厚度方向正交的面的面积)，为了能够搭载在更狭窄的区域中而被要求形成得小。因此，搭载在半导体器件的半导体元件的表面积也需要形成得小。MOSFET的情况下，存在表面积越小导通电阻越变大的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-245212号公报

发明内容

发明要解决的问题

鉴于上述的情况，本发明的目的在于，提供能够抑制被搭载的半导体元件的表面积变小的半导体器件。

用于解决问题的技术手段

本发明提供的半导体器件，其具有第一半导体元件和第二半导体元件，各半导体元件具有元件主面和元件背面，并且具有配置在上述元件背面的元件第一电极和配置在上述元件主面的元件第二电极。另外，半导体器件包括：具有引线主面和引线背面的第一引线；覆盖上述第一引线、上述第一半导体元件和上述第二半导体元件的绝缘层；与上述第一半导体元件的上述元件第二电极导通的第一电极；和与上述第一引线导通的第二电极。上述第一半导体元件和上述第一引线以上述第一半导体元件的上述元件背面与上述引线主面相对的姿态接合在一起。上述第二半导体元件和上述第一引线以上述第二半导体元件的上述元件背面与上述引线背面相对的姿态接合在一起。

发明效果

本发明的半导体器件中，第一半导体元件搭载于第一引线的引线主面，第二半导体元件搭载于第一引线的引线背面。因此，与第一半导体元件和第二半导体元件排列搭载于第一引线的相同面的情况相比，能够增大各半导体元件的表面积。

本发明其他特征和优点，通过参照附图在以下进行的详细说明中能够更加明确。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的半导体器件的立体图。

图2是图1所示的半导体器件的电路图。

图3是表示图1所示的半导体器件的示意性的截面的图。

图4是使图1所示的半导体器件的一部分透过的俯视图。

图5是使图1所示的半导体器件的一部分透过的俯视图。

图6是使图1所示的半导体器件的一部分透过的俯视图。

图7是说明图1所示的半导体器件的制造工序的俯视图。

图8是说明图1所示的半导体器件的制造工序的俯视图。