[发明专利]半导体图像传感器的像素及制造像素的方法在审
申请号: | 201980082963.1 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN113302741A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 吉·迈南;格哈德·艾尔姆施泰纳 | 申请(专利权)人: | AMS传感器比利时有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 侯丽英;刘继富 |
地址: | 比利时*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 图像传感器 像素 制造 方法 | ||
1.一种像素(1),其包括
-半导体主体(2),其具有被配置作为入射表面的第一表面(3)和被配置为用于捕获入射在所述第一表面(3)上的光的光捕获区域(4a);
-结构化界面(5);
-隔离层(6),其在所述半导体主体(2)的与所述第一表面(3)垂直的至少两个表面(7)上;以及
-滤光元件(8),其布置在与所述第一表面(3)相距一定距离处,使得以小于临界角(αc)的入射角度(α)入射在所述第一表面(3)上的光照射到所述滤光元件(8)上。
2.根据权利要求1所述的像素(1),其中,所述滤光元件(8)被布置成使得以小于临界角(αc)的入射角度(α)入射的光在进入所述半导体主体(2)之前必须穿过所述滤光元件(8)。
3.根据权利要求1或2所述的像素(1),其中,所述滤光元件(8)的透射值取决于所述入射角度(α)和/或取决于所述光的波长。
4.根据权利要求3所述的像素(1),其中,所述滤光元件(8)被配置成
-在所述入射角度(α)大于所述临界角(αc)的情况下反射光;以及
-在所述入射角度(α)小于或等于所述临界角(αc)的情况下透射光。
5.根据权利要求1至4之一所述的像素(1),其中,所述滤光元件(8)包括二向色滤光器。
6.根据权利要求5所述的像素(1),还包括布置在所述滤光元件(8)与所述第一表面(3)之间的波导结构(12)。
7.根据权利要求1至6之一所述的像素(1),其中,所述滤光元件(8)被配置成透射在特定窄波段波长范围的光学波长的光,所述特定窄波段波长范围特别是包括940nm和/或850nm的波长范围。
8.根据权利要求1至7之一所述的像素(1),其中,所述滤光元件(8)被配置作为法布里-珀罗(Fabry-Perot)腔。
9.根据权利要求1至8之一所述的像素(1),其中,所述结构化界面(5)被布置在
-在所述像素的包括第一表面(3)的一侧上;或者
-在所述像素的背离所述第一表面(3)的一侧上。
10.根据权利要求1至9之一所述的像素(1),其中,所述隔离层(6)覆盖所述半导体主体(2)的至少两个表面(7)的至少一部分。
11.根据权利要求1至10之一所述的像素(1),还包括在所述半导体主体的垂直于所述第一表面(3)的所有表面(7)上的隔离层(6)。
12.一种图像传感器,其包括根据权利要求1至11之一所述的多个像素(1),其中,所述像素(1)被布置为使得两个相邻像素(1)中的每个像素的隔离层(6)彼此面对。
13.根据权利要求12所述的图像传感器,其中,所述图像传感器是CMOS图像传感器。
14.根据权利要求12或13所述的图像传感器,其中,所述图像传感器与有源照明结合地操作,特别是与在红外波长范围内的有源照明结合地操作。
15.一种具有相机系统的电子设备,所述相机系统包括根据权利要求12至14之一所述的图像传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的