[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201980088678.0 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN113348560A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 金善浩;朴注灿;李善熙;宋姬林;赵承奂;崔锺炫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208;H01L51/52 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.显示设备,包括:
衬底,包括显示区域和非显示区域;
多个像素,设置在所述衬底的所述显示区域中,并且所述多个像素中的每个包括至少一个晶体管和连接到所述晶体管的发光元件;
第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层,依次堆叠在所述衬底上;
扫描线,设置在所述多个像素中的每个上以向相应像素施加扫描信号,并且在所述第一绝缘层上;
第一导电层,在所述第三绝缘层上并且在平行于所述扫描线的延伸方向的方向上延伸,并且公共地在所述多个像素上;
开口,暴露所述衬底的一部分,所述开口是在所述多个像素中的一个像素和与所述一个像素相邻的像素之间从所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的一部分去除的;以及
绝缘图案,设置在所述开口中,
其中,所述第一导电层设置在包括所述绝缘图案的所述衬底上,并且连接所述一个像素的所述扫描线和与所述一个像素相邻的所述像素的所述扫描线。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一导电层通过穿过所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第一接触孔电连接到所述多个像素中的每个的所述扫描线。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,在平面图中,所述第一导电层与所述多个像素中的每个的所述扫描线重叠。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的每个是包括无机材料的无机绝缘层,并且所述绝缘图案是包括有机材料的有机绝缘层。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述绝缘图案设置在所述开口中并且具有填充所述开口的形状。
6.根据权利要求4所述的显示设备,还包括:
数据线,设置在所述第四绝缘层上,并且配置成向所述多个像素中的每个施加数据信号,
其中,所述第四绝缘层包括从所述第一导电层的表面依次堆叠的第一层间绝缘层和第二层间绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层在材料方面是不同的。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述第一层间绝缘层是包括无机材料的无机绝缘层,并且所述第二层间绝缘层是包括有机材料的有机绝缘层。
9.根据权利要求8所述的显示设备,还包括:
至少两个或更多个导电图案,设置在所述第三绝缘层上;以及
桥接电极和至少一个接触电极,所述接触电极设置在所述第二层间绝缘层上,所述桥接电极与所述接触电极间隔开,
其中,所述接触电极和所述桥接电极中的每个与所述导电图案中的一个重叠,且所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层插置在它们之间。
10.根据权利要求9所述的显示设备,
其中,所述接触电极和与所述接触电极重叠的所述导电图案通过穿过所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的第二接触孔电连接,以及
其中,所述桥接电极和与所述桥接电极重叠的所述导电图案通过穿过所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层的第三接触孔电连接。
11.根据权利要求10所述的显示设备,其中,所述导电图案设置在与所述第一导电层所在的层相同的层上,并且与所述第一导电层间隔开。
12.根据权利要求10所述的显示设备,其中,所述晶体管包括:
有源图案,设置在所述衬底上;
栅电极,设置在所述有源图案上,且所述第一绝缘层插置在所述栅电极与所述有源图案之间;以及
源电极和漏电极,分别连接到所述有源图案的与所述栅电极重叠的中间区域的两侧,
其中,所述源电极或所述漏电极通过穿过所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第四接触孔电连接至所述导电图案之中的相应导电图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的