[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体材料的基材，其呈薄板状；

表面电极，其配置于所述基材的一方的面；

背面电极，其覆盖所述基材的另一方的面；以及

过孔，其呈将所述表面电极作为底且在所述另一方的面侧开口的孔状，并将所述表面电极与所述背面电极电连接，

在所述另一方的面侧的周缘部配置有沿厚度方向突出的突出部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述突出部遍布整周而连续。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述突出部沿着周向间断地配置。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述突出部由设置于所述背面电极的厚膜部形成。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述突出部由设置于所述基材的基材突出部形成。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述突出部的突出高度为10μm以上且40μm以下。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述突出高度为13μm以上且23μm以下。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

形成有单片微波集成电路。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

使用GaAs、GaN以及SiC的任一个作为所述半导体材料。