[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置(1)具备：半导体材料的基材(11)，其呈薄板状；表面电极(13)，其配置于基材(11)的表面(11ff)；背面电极(17)，其覆盖基材(11)的背面(11fr)；以及过孔(1h)，其呈将表面电极(13)作为底且在背面(11fr)侧开口的孔状，并将表面电极(13)与背面电极(17)电连接，在背面(11fr)侧的周缘部配置有沿厚度方向突出的突出部(1p)。

技术领域

本申请涉及半导体装置。

背景技术

在半导体装置中，也如MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)那样，在形成处理微波波段或准微波波段等的高频用的集成电路的情况下，无法忽视寄生电感的影响。因此采用如下构造：形成贯通半导体基板的过孔，不使布线在面内环绕，而将形成于半导体基板的表面侧的电极与下表面侧的导体连接而接地。

构成上述的高频用的集成电路的半导体基板优选使用GaAs、GaN、SiC等所谓的宽带隙半导体材料。此时，在通过焊料将半导体基板接合(芯片接合)于组件基板时，若线性膨胀系数与基板不同的焊料进入过孔内，则有可能因温度变化而产生裂纹。因此，提出如下半导体装置：为了防止焊料的进入，利用不会被焊料浸润的材料覆盖过孔的开口部分(例如参照专利文献1、2)。

专利文献1：日本特开平4-211137号公报(0016～0021段、图1)

专利文献2：日本特开平10-303198号公报(0051～0060段、图5～图6，以及0082～0094段、图11～图12)

认为若阻碍焊料向过孔内的进入，则能够抑制因线性膨胀系数之差而产生的裂纹。另一方面，在实际的制造现场，有时在半导体基板的与组件基板接合的接合面附着有少量异物，若在这样的状态下进行芯片接合，则有时因冲击而使过孔部分产生裂缝。裂缝也在异物附着于离开过孔的位置的情况下产生，并且难以去除所有的微小异物，因此无法消除裂缝的产生，难以提高成品率。

发明内容

本申请公开用于解决上述那样的课题的技术，目的在于得到抑制寄生电感并且生产率高的半导体装置。

本申请公开的半导体装置的特征在于，具备：半导体材料的基材，其呈薄板状；表面电极，其配置于所述基材的一方的面；背面电极，其覆盖所述基材的另一方的面；以及过孔，其呈将所述表面电极作为底且在所述另一方的面侧开口的孔状，并将所述表面电极与所述背面电极电连接，在所述另一方的面侧的周缘部配置有沿厚度方向突出的突出部。

根据本申请所公开的半导体装置，即便异物附着，也不会受到冲击，因此能够得到生产率高的半导体装置。

附图说明

图1A～图1C分别是实施方式1的半导体装置的从背面观察的俯视图和端面图、以及接合于组件基板的状态下的端面图。

图2是实施方式1的半导体装置的立体图。

图3是将比较例的半导体装置接合于组件基板的状态下的端面图。

图4A～图4C分别是实施方式2的半导体装置的从背面观察的俯视图和端面图、以及接合于组件基板的状态下的端面图。

图5是实施方式3的半导体装置的从背面观察的俯视图。

图6A～图6C分别是将实施方式3的半导体装置接合于组件基板的状态下的切断位置不同的端面图。

图7是实施方式4的半导体装置的从背面观察的俯视图。

图8A～图8C分别是将实施方式4的半导体装置接合于组件基板的状态下的切断位置不同的端面图。

具体实施方式

实施方式1.