[发明专利]基板处理装置、基板支承件、半导体装置的制造方法及程序

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

处理室，其进行针对基板的处理；

基板支承件，其在所述处理室内支承所述基板，

在所述基板支承件上沿着所述基板配置有板状部件，所述板状部件在中央部与位于比所述中央部靠外侧处的外周部厚度不同。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述板状部件的所述外周部的厚度比所述中央部的厚度厚。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述中央部是所述板状部件中的与所述基板对置的部分。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述板状部件以使所述板状部件的表面与所述基板的背面对置，并且与所述基板的表面平行的方式配设于所述基板支承件。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述板状部件以使与所述基板的表面对置的空间大于与所述基板的背面对置的空间的方式配设于所述基板支承件。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置具有：气体喷嘴，其对所述处理室内的基板供给处理气体，

所述基板支承件以在垂直方向上分别隔开间隔地排列的方式支承多个所述基板，

所述板状部件被配设为使设置于所述气体喷嘴的多个气体供给孔的高度位置分别位于所述板状部件的所述外周部的背面与所述基板的表面之间。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述板状部件的厚度随着从所述板状部件的径向内侧朝向外侧而变厚。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述板状部件的所述外周部的厚度在周向的整周上比所述中央部的厚度厚。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述板状部件的所述外周部的背面比所述中央部的背面突出。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述板状部件由高热传导材料形成。

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述板状部件的所述中央部与所述外周部由互不相同的材料形成。

12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置具有：加热部，其对所述处理室内进行加热，

所述板状部件的所述中央部由比形成所述外周部的材料容易吸收来自所述加热部的热的材料形成。

13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述板状部件的表面是实施了与所述基板的背面的表面积相等的表面处理的面。

14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板支承件以在垂直方向上分别隔开间隔地排列的方式支承多个所述基板，

配设在所述基板支承部的中央部的所述板状部件的所述中央部的厚度比配设在所述基板支承部的上部侧或下部侧的所述板状部件的所述中央部的厚度薄。

15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板支承件以在垂直方向上分别隔开间隔地排列的方式支承多个所述基板，

配设于所述基板支承部的中央部的所述板状部件和配设于所述基板支承部的上部侧或下部侧的所述板状部件由互不相同的材料形成。

16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述板状部件的所述外周部与所述中央部分体构成。