[发明专利]基板处理装置、基板支承件、半导体装置的制造方法及程序

说明书

本发明具备：处理室，其进行针对基板的处理；基板支承件，其在处理室内支承基板，在基板支承件上沿着基板配设有板状部件，所述板状部件在中央部与位于比中央部靠外侧处的外周部厚度不同。

技术领域

本公开涉及基板处理装置、基板支承件、半导体装置的制造方法及程序。

背景技术

作为在半导体装置的制造工序中使用的基板处理装置，例如有在处理管(反应管)的下方设置了负载锁定腔室(下部腔室)的所谓立式装置。这样的基板处理装置构成为使支承基板的舟皿(基板支承件)在处理管与负载锁定腔室之间升降，并且在舟皿收纳于处理管的状态下对基板进行规定的处理(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-368062号公报

发明内容

发明要解决的课题

本公开提供一种能够提高基板处理中的基板的面内温度分布的均匀性的技术。

用于解决课题的手段

根据本公开的一方式，

提供一种与基板处理装置相关的技术，

所述基板处理装置具有：

处理室，其进行针对基板的处理；

基板支承件，其在所述处理室内支承所述基板，

在所述基板支承件上沿着所述基板配设有板状部件，所述板状部件在中央部与位于比所述中央部靠外侧处的外周部厚度不同。

发明效果

根据本公开，能够提高基板处理中的基板的面内温度分布的均匀性。

附图说明

图1是在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置的概略结构图，是用纵剖视图表示处理炉部分的图(其1)。

图2是在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置的概略结构图，是用纵剖视图表示处理炉部分的图(其2)。

图3中，(a)是表示在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置的主要部分结构的一例的放大图，(b)、(c)分别是表示在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置的主要部分结构的变形例的放大图。

图4是在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置具有的控制器的概略结构图，是用框图表示控制器的控制系统的图。

图5是表示在本公开的一方式中优选使用的基板处理装置中进行的成膜工序的过程的流程图。

具体实施方式

本公开的一方式

以下，一边参照图1～图5一边对本公开的一方式进行说明。

(1)基板处理装置的结构

本实施方式的基板处理装置在半导体装置的制造工序中使用，构成为将成为处理对象的基板每多张(例如5张)集中而进行处理的立式基板处理装置。作为成为处理对象的基板，例如列举有制作半导体集成电路装置(半导体器件)的半导体晶片基板(以下，简称为“晶片”)。

如图1所示，本实施方式的基板处理装置具有立式处理炉1。立式处理炉1具有作为加热部(加热机构、加热系统)的加热器10。加热器10为圆筒形状，支承于作为保持板的加热器基座(未图示)，由此，相对于基板处理装置的设置地板垂直地安装。加热器10也作为利用热使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥作用。

在加热器10的内侧配设有与加热器10呈同心圆状地构成反应容器(处理容器)的反应管20。反应管20具有具备内管(内管)21和呈同心圆状地包围内管21的外管(外管)22的双重管结构。内管21和外管22分别由例如石英(SiO₂)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成。内管21形成为上端和下端开口的圆筒形状。外管22形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。内管21的上端部延伸至外管22顶部的附近。