[发明专利]一种大尺寸硅片扩散工艺

权利要求书

1.一种大尺寸硅片扩散工艺，其特征在于：将硅片放入扩散炉后，进行扩散，包括以下步骤，

稳定硅片表面温度，减少硅片中心与边缘的温度差；所述稳定硅片表面温度的步骤中，进行扩散炉的升温，并通入氮气，并进行温度保持，其中，所述扩散炉温度升温至扩散温度，所述扩散温度为760-780℃，所述氮气的流量为16-20slm，所述温度保持时间为5-8min；

制备氧化层，进行硅片表面氧化；

低温恒定源扩散，进行硅片表面沉积磷源：按照所述扩散温度维持所述扩散炉温度，并通入氮气、氧气和扩散源，并按照沉积时间进行沉积，所述氮气流量为8-10slm；所述氧气流量为1-1.3slm；所述扩散源的流量为0.8-1slm；所述沉积时间为10-15min；

高温推进，便于形成PN结；

高温通源，进行扩散补源：按照推进温度保持扩散炉温度，通入氮气、氧气和扩散源，并按照高温沉积时间进行沉积，其中，所述扩散源为N₂-POCL3，所述推进温度为840-860℃，所述氮气流量为6-8slm，所述氧气流量为0.1-0.2slm，所述扩散源流量为0.1-0.3slm，所述高温沉积时间为2-5min；

二步推结，形成磷硅玻璃层；

降温出炉。

2.根据权利要求1所述的大尺寸硅片扩散工艺，其特征在于：所述二步推结步骤中，按照所述推进温度保持扩散炉温度，通入氮气，并按照推结时间进行推进，其中，所述氮气流量为6-8slm，所述推结时间为3-5min。

3.根据权利要求1或2所述的大尺寸硅片扩散工艺，其特征在于：所述制备氧化层的步骤中，按照所述扩散温度维持扩散炉温度，并通入氧气和氮气，按照氧化时间对硅片进行氧化，其中，

所述氧气的流量为1-3slm；

所述氮气的流量为16-20slm；

所述氧化时间为3-5min。

4.根据权利要求3所述的大尺寸硅片扩散工艺，其特征在于：所述高温推进步骤中，将扩散炉的温度升温至所述推进温度，通入氮气，并按照推进时间进行推进，其中，

所述氮气流量为6-8slm；

所述推进时间为10-15min。

5.根据权利要求4所述的大尺寸硅片扩散工艺，其特征在于：所述降温出炉步骤中，降低扩散炉温度，将所述扩散炉温度降低至出炉温度，进行出舟，所述出炉温度为740-760℃。