[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010010411.4 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113078215A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成阱层；
在所述阱层上形成半导体层；
刻蚀所述半导体层及部分厚度的所述阱层，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述阱层包括相邻的N阱层和P阱层。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述阱层的工艺包括第一外延生长工艺和掺杂工艺。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述P阱层采用的所述第一外延生长工艺的工艺参数包括：采用的气体包括：H2、HCl、SiH2Cl2、B2H6，其中，所述H2的气体流量为200～2000sccm、所述HCl的气体流量为30～200sccm、所述SiH2Cl2的气体流量为50～1000sccm、所述B2H6的气体流量为5～1000sccm；压强为1～600托、温度为600～800℃。
5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述N阱层采用的所述第一外延生长工艺的工艺参数包括：采用的气体包括：H2、HCl、SiH2Cl2、PH3，其中，所述H2的气体流量为200～2000sccm、所述HCl的气体流量为10～500sccm、所述SiH2Cl2的气体流量为50～1000sccm、所述PH3的气体流量为10～2000sccm；压强为8～400托、温度为600～800℃。
6.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述N阱层的掺杂工艺的参数包括：注入的离子为P或As、注入能量为50KeV～200KeV，注入剂量为1E12atoms/cm2～1E14atoms/cm2。
7.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述P阱层掺杂的工艺参数包括：注入的离子为B或BF2-、注入能量为25KeV～100KeV，注入剂量为2E12atoms/cm2～2E14atoms/cm2。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述阱层的厚度和所述半导体层的厚度的比值在1:1至1:6。
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述半导体层的工艺为第二外延生长工艺。
10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述第二外延生长工艺的工艺参数包括：采用的气体包括：H2、HCl、SiH2Cl2，其中，所述H2的气体流量为100～2000sccm、所述HCl的气体流量为10～800sccm、所述SiH2Cl2的气体流量为50～1000sccm；压强为20～400托、温度为600～800℃。
11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体层的材料为硅材料、硅锗材料或III-V材料。
12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀所述半导体层及部分厚度的所述阱层的工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。
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