[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202010010414.8 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113078064A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 唐睿智;李波;刘琳;黄豪俊;刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区；
在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件；
在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层；
在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定形硅层；
采用湿法刻蚀工艺去除所述无定形硅层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液中含有醇。
2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述醇为异丙醇或乙醇或1,6-己二醇。
3.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀液中还包括碱性水溶液。
4.如权利要求3所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述碱性水溶液为碱性溶液与水的混合液，所述碱性溶液为NH4OH碱性溶液或TMAH碱性溶液或EDA碱性溶液或KOH碱性溶液。
5.如权利要求4所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述碱性溶液的体积与所述水的体积比范围为1:1～1:80。
6.如权利要求4所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述碱性溶液的体积与所述醇的体积比范围为1:1～1:5。
7.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述无定形硅层之前，还包括：对所述无定形硅层进行热处理。
8.如权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述热处理为高温退火处理。
9.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的温度范围为25℃～80℃。
10.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离件之前，还包括：在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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