[发明专利]磁随机存取存储单元及磁随机存取存储器的形成方法

权利要求书

1.一种磁随机存取存储单元，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括若干有源区和位于有源区之间的隔离区；

位于所述有源区上的栅极结构；

位于所述有源区上和隔离区上的字线结构，所述字线结构的侧壁与所述栅极结构的侧壁相接触。

2.如权利要求1所述的磁随机存取存储单元，其特征在于，还包括：位于栅极结构两侧衬底内的源区和漏区；位于衬底上的介质结构，所述栅极结构和字线结构位于所述介质结构内。

3.如权利要求2所述的磁随机存取存储单元，其特征在于，还包括：与所述源区电连接的源线结构，所述源线结构沿平行于衬底表面的第一方向延伸，所述源线结构位于所述介质结构内。

4.如权利要求3所述的磁随机存取存储单元，其特征在于，还包括：磁性隧道结构，所述磁性隧道结构的底部与所述漏区电连接；位线结构，所述位线结构与所述磁性隧道结构顶部电连接，所述位线结构沿平行于衬底表面的第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述位线结构和磁性隧道结构位于所述介质结构内。

5.如权利要求4所述的磁随机存取存储单元，其特征在于，所述磁性隧道结构的底部平面高于所述源线结构的顶部平面。

6.如权利要求4所述的磁随机存取存储单元，其特征在于，所述磁性隧道结构包括：固定层；位于固定层上的绝缘层；位于绝缘层上的自由层。

7.如权利要求3所述的磁随机存取存储单元，其特征在于，所述源线结构与所述字线结构和栅极结构相互平行。

8.如权利要求3所述的磁随机存取存储单元，其特征在于，所述源线结构的底部平面高于所述字线结构顶部平面和栅极结构的顶部平面。

9.如权利要求1所述的磁随机存取存储单元，其特征在于，所述衬底包括基底、位于基底上的鳍部结构以及位于鳍部结构部分侧壁的隔离层，所述鳍部结构位于所述有源区内；所述字线结构和栅极结构横跨所述鳍部结构，所述第一方向垂直于所述鳍部结构的延伸方向。

10.如权利要求9所述的磁随机存取存储单元，其特征在于，所述相邻鳍部结构的间距为第一尺寸，所述鳍部结构的宽度为第二尺寸，所述第一尺寸小于或等于第二尺寸。

11.一种磁随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括若干有源区和位于有源区之间的隔离区；

在衬底上形成栅极结构和字线结构，所述栅极结构位于所述有源区内，所述字线结构位于所述有源区内和隔离区内，所述字线结构的侧壁和所述栅极结构的侧壁相接触。

12.如权利要求11所述的磁随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述栅极结构和字线结构的形成方法包括：在所述衬底上形成栅极材料层；

在所述栅极材料层上形成字线材料层；在所述字线材料层上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述字线材料层和栅极材料层，形成所述栅极结构和字线结构。

13.如权利要求11所述的磁随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在形成字线结构和栅极结构之后，还包括：在栅极结构两侧衬底内形成源区和漏区；在衬底上形成介质结构，所述栅极结构和字线结构位于所述介质结构内。

14.如权利要求13所述的磁随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在所述介质结构内形成源线结构，所述源线结构与所述源区电连接，所述源线结构沿平行于衬底表面的第一方向延伸。