[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有互连结构；

对所述互连结构表面进行氧化处理，使部分厚度的所述互连结构转化成保护层；

在所述保护层上形成第二介质层；

形成贯穿所述第二介质层的导电通孔，所述导电通孔的底部暴露出所述保护层；

去除所述导电通孔底部的所述保护层，暴露出所述互连结构；

去除所述保护层后，在所述互连结构上形成填充所述导电通孔的导电插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理包括：采用湿氧氧化工艺，对所述互连结构表面进行所述氧化处理。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理包括：采用干氧氧化工艺对所述互连结构表面进行所述氧化处理。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理包括：在含氧气体氛围中，对所述互连结构表面进行等离子体处理。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干氧氧化工艺的参数包括：工艺温度为50℃至200℃，氧化气体的气体流量为100sccm至500sccm。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层的厚度为至

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述第二介质层，形成贯穿所述第二介质层的导电通孔。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括含氟气体。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述导电通孔底部的所述保护层的步骤包括：对所述导电通孔底部的所述保护层进行还原处理，将所述导电通孔底部的所述保护层还原成所述互连结构。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在氢气或一氧化碳氛围中，对所述导电通孔底部的所述保护层进行还原处理。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在氢气氛围中，进行所述还原处理；所述还原处理的工艺参数包括：工艺时间为20秒至200秒，氢气的气体流量为100sccm至500sccm，温度为100℃至200℃。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用刻蚀工艺去除所述导电通孔底部的保护层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，去除所述导电通孔底部的保护层。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层的材料包括氧化钴、氧化钌或氧化钨。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括源漏掺杂区以及覆盖所述源漏掺杂区的层间介质层；

所述互连结构还贯穿所述层间介质层且与所述源漏掺杂区相接触。

16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述导电通孔的步骤包括：以所述保护层作为停止层，刻蚀所述第二介质层，形成所述导电通孔。