[发明专利]平坦化方法及半导体器件

权利要求书

1.一种平坦化方法，其特征在于，包括：

提供衬底，于所述衬底上形成凸起结构；

于所述凸起结构的表面和所述衬底的上表面形成第一介质层，所述第一介质层包括覆盖所述凸起结构的第一凸区域和覆盖所述衬底的上表面的第一凹区域，所述第一介质层的厚度介于50nm-150nm之间；

于所述第一凸区域与所述第一凹区域的表面形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第一介质层的上表面，使得所述第一凸区域与所述第一凹区域的表面也具有所述第一保护层，所述第一保护层还形成于所述第一凸区域的侧壁；

于所述第一介质层上和所述第一保护层的上表面形成第二介质层，所述第二介质层包括覆盖所述第一凸区域的第二凸区域和覆盖所述第一凹区域的第二凹区域，所述第二介质层的厚度介于2000nm-2800nm之间；

于所述第一介质层和所述第二介质层内形成传导结构，传导结构位于所述第一凸区域侧壁的保护层远离所述凸起结构的一侧；

于所述第二凹区域的表面形成第二保护层；

以所述第二保护层为掩膜，以所述第一保护层为刻蚀停止层，刻蚀所述第二介质层，以去除所述第二凸区域的所述第二介质层；

其中，所述第一保护层存在于所述第一介质层与所述第二介质层之间，以防止出现贯穿所述第一介质层和所述第二介质层的裂纹，从而避免所述凸起结构与所述传导结构出现短路缺陷。

2.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底、多晶硅衬底、锗衬底、硅锗衬底、绝缘体上硅衬底、绝缘体上锗衬底或玻璃衬底。

3.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，于所述第二凹区域的所述第二介质层表面形成所述第二保护层，包括：

于所述第二介质层表面形成第二保护材料层；

去除所述第二凸区域上的所述第二保护材料层。

4.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，去除所述第二凸区域的所述第二介质层之后，还包括：去除所述第二保护层。

5.根据权利要求4所述的平坦化方法，其特征在于，去除所述第二保护层时，还包括：去除所述第一凸区域上的所述第一保护层。

6.根据权利要求5所述的平坦化方法，其特征在于，去除所述第二凸区域的所述第二介质层之后，还包括：于所述第一介质层和所述第二介质层上形成第三介质层。

7.根据权利要求6所述的平坦化方法，其特征在于，于所述第一介质层和所述第二介质层上形成第三介质层，包括：

对所述第一介质层和所述第二介质层进行平坦化处理；

于平坦化处理后的所述第一介质层和所述第二介质层上形成第三介质层。

8.根据权利要求6所述的平坦化方法，其特征在于，于所述第一介质层和所述第二介质层上形成第三介质层，包括：

于所述第一介质层和所述第二介质层上形成第三介质层；

对所述第三介质层进行平坦化处理。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的平坦化方法，其特征在于，所述凸起结构包括电容器结构。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：根据权利要求1～9中任意一项所述的平坦化方法制备的所述半导体器件。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层的材质包括氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅中的一种或其组合。