[发明专利]平坦化方法及半导体器件

说明书

本发明涉及一种平坦化方法，包括：提供衬底，于衬底上形成凸起结构；于凸起结构的表面和衬底的上表面形成第一介质层，第一介质层包括覆盖凸起结构的第一凸区域和覆盖衬底的上表面的第一凹区域；至少于第一凸区域的表面形成第一保护层；于第一介质层上和第一保护层的上表面形成第二介质层，第二介质层包括覆盖第一凸区域的第二凸区域和覆盖第一凹区域的第二凹区域；于第二凹区域的表面形成第二保护层；以第二保护层为掩膜，以第一保护层为刻蚀停止层，刻蚀第二介质层，以去除第二凸区域的第二介质层。上述平坦化方法使得在刻蚀第二介质层时，能够以第二保护层为掩膜，以第一保护层为刻蚀停止层，增加了刻蚀的可控性，降低了平坦化的难度。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种平坦化方法及半导体器件。

背景技术

集成电路(IC：Integrated Circuit)、或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、芯片(chip)在电子学中是一种把电路(主要包括半导体设备，也包括被动组件等)小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。在芯片制备过程中，往往需要进行平坦化处理，但是，当平面的平坦度欠佳时，采用一般的研磨抛光工艺难以进行平坦化。

发明内容

基于此，针对上述问题，本发明提供一种平坦化方法及半导体器件。

本发明提供一种平坦化方法，包括：提供衬底，于所述衬底上形成凸起结构；于所述凸起结构的表面和所述衬底的上表面形成第一介质层，所述第一介质层包括覆盖所述凸起结构的第一凸区域和覆盖所述衬底的上表面的第一凹区域；至少于所述第一凸区域的表面形成第一保护层；于所述第一介质层上和所述第一保护层的上表面形成第二介质层，所述第二介质层包括覆盖所述第一凸区域的第二凸区域和覆盖所述第一凹区域的第二凹区域；于所述第二凹区域的表面形成第二保护层；以所述第二保护层为掩膜，以所述第一保护层为刻蚀停止层，刻蚀所述第二介质层，以去除所述第二凸区域的所述第二介质层。

上述平坦化方法中，以第二保护层为掩膜刻蚀第二介质层，以去除第二凸区域的第二介质层，使得平坦化处理更容易进行，使得对平坦度欠佳的膜层进行平坦化处理成为可能，上述平坦化方法应用更广泛；至少于第一凸区域的表面形成第一保护层，于第二凹区域的表面形成第二保护层，使得在刻蚀第二介质层时，能够以第二保护层为掩膜，以第一保护层为刻蚀停止层，增加了刻蚀的可控性，使得刻蚀后的第一介质层和第二介质层更加平坦，降低了平坦化的难度。

在其中一个实施例中，所述第一保护层覆盖所述第一介质层的上表面。第一保护层覆盖第一介质层的上表面，使得第一凹区域的表面也具有第一保护层，使得第一介质层与第二介质层之间有第一保护层，防止出现贯穿第一介质层和第二介质层的裂纹，从而避免凸起结构与周边器件结构出现短路缺陷，提高器件性能。

在其中一个实施例中，于所述第二凹区域的所述第二介质层表面形成所述第二保护层，包括：于所述第二介质层表面形成所述第二保护材料层；去除所述第二凸区域上的所述第二保护材料层。

在其中一个实施例中，去除所述第二凸区域的所述第二介质层之后，还包括：去除所述第二保护层。

在其中一个实施例中，去除所述第二保护层时，还包括：去除所述第一凸区域上的所述第一保护层。

在其中一个实施例中，去除所述第二凸区域的所述第二介质层之后，还包括：于所述第一介质层和所述第二介质层上形成第三介质层。

在其中一个实施例中，于所述第一介质层和所述第二介质层上形成第三介质层，包括：对所述第一介质层和所述第二介质层进行平坦化处理；于平坦化处理后的所述第一介质层和所述第二介质层上形成第三介质层。

在其中一个实施例中，于所述第一介质层和所述第二介质层上形成第三介质层，包括：于所述第一介质层和所述第二介质层上形成第三介质层；对所述第三介质层进行平坦化处理。

在其中一个实施例中，所述凸起结构包括电容器结构。