[发明专利]一种适用于FPGA的可编程脉冲产生装置、电路及方法有效

专利信息
申请号: 202010046419.6 申请日: 2020-01-16
公开(公告)号: CN111240244B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 卫博;高丽江 申请(专利权)人: 中科亿海微电子科技(苏州)有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 北京市中闻律师事务所 11388 代理人: 冯梦洪
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 fpga 可编程 脉冲 产生 装置 电路 方法
【说明书】:

一种适用于FPGA的可编程脉冲产生装置及方法,有效地解决了FPGA逻辑功能真值表存储单元复用的问题。装置包括:端口信号单元、时钟信号单元、内部写使能脉冲单元、存储器内部数据单元、旧数据读输出信号单元、新数据读输出信号单元、中间寄存器;在两端口同时对同一存储单元进行读写时,在写之前读,先在时钟信号单元的上升沿处将新数据采入,在内部写使能脉冲单元之前的下降沿处,将存储器内部数据单元的数据存入中间寄存器,在内部写使能脉冲单元为高期间,将新数据写入存储器内部数据单元,在下一个时钟信号单元的上升沿处从中间寄存器将旧数据读出;在写后再读,在内部写使能脉冲单元后的上升沿处,读出数据。

技术领域

发明涉及数字集成电路的技术领域,尤其涉及一种适用于FPGA(Field-Programmable Gate Array,数字集成电路中现场可编程门阵列)的可编程脉冲产生装置,还涉及一种适用于FPGA的可编程脉冲产生电路、方法。

背景技术

在传统的基于sram(Static Random-Access Memory,静态随机存取存储器)技术的FPGA中,可用的存储资源主要包括块存储和寄存器。块存储,一般采用sram技术,容量固定,一般为4K,9K和36K等。寄存器资源位于可编程逻辑块中,主要用来实现逻辑功能的时序化,面积大,单位面积内的存储密度非常低。在所需存储容量极小的时候,一般为几bit,可以使用,但随着存储容量的稍微增加,代价急剧增大。此时,如若调用块存储资源,利用率过低,显得有些浪费。

在后来的FPGA中,考虑使用用于存储逻辑功能真值表的sram单元,因为FPGA中实现组合逻辑功能的lut(Look-Up-Table,显示查找表)结构本质上就是通过各输入逐级译码来读取存储在sram单元里的真值表来实现逻辑功能的,具有天然的读功能。只需增加必要的写功能逻辑和控制逻辑,既可在用户需要时,配置成用户可用的存储器,又可在用户释放后,恢复原本实现组合逻辑功能的能力。从而有效地填补了寄存器资源和块存储资源间的鸿沟。

当由存储逻辑功能真值表的sram单元组成的存储器被配置成简单双端口模式时,就会和通常专用存储器一样,面临两端口同时操作同一存储单元时出现的读写冲突问题。由于是在原来lut结构的基础上,复用其sram单元,希望采用尽可能简单的逻辑,实现写入新数据之前读出之前存储的旧数据,或者写入新数据之后再进行读操作的可编程功能。

发明内容

为克服现有技术的缺陷,本发明要解决的技术问题是提供了一种适用于FPGA的可编程脉冲产生装置,其采用简单的逻辑,实现写入新数据之前读出之前存储的旧数据,或者写入新数据之后再进行读操作的可编程功能,有效地解决了FPGA逻辑功能真值表存储单元复用的问题,大大地提高了资源利用率,节省了成本。

本发明的技术方案是:这种适用于FPGA的可编程脉冲产生装置,其包括:端口信号单元、时钟信号单元、内部写使能脉冲单元、存储器内部数据单元、旧数据读输出信号单元、新数据读输出信号单元、中间寄存器,旧数据读输出信号单元、新数据读输出信号单元为二选一;

在两端口同时对同一存储单元分别进行写和读操作时,如果需要在写入新数据之前读出之前存储的旧数据,那么先在时钟信号单元的上升沿处将新数据采入,然后在内部写使能脉冲单元之前的下降沿处,先将存储器内部数据单元的数据存入下降沿采样的中间寄存器,接着在内部写使能脉冲单元为高期间,将新数据写入存储器内部数据单元,最后在下一个时钟信号单元的上升沿处从中间寄存器将旧数据读出;如果需要在写入新数据后再进行读操作,直接在内部写使能脉冲单元后的上升沿处,读出数据。

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