[发明专利]用于形成三维存储器器件中的结构增强型半导体插塞的方法

权利要求书

1.一种用于形成三维(3D)存储器器件的方法，包括：

在衬底上形成电介质叠层，所述电介质叠层包括多个交错的电介质层和牺牲层；

形成竖直地延伸穿过所述电介质叠层的开口；

通过去除牺牲层的与所述开口的侧壁邻接的一部分来形成浅凹槽；

在所述开口的下部形成半导体插塞，其中，所述半导体插塞的一部分突出到所述浅凹槽中；

在所述开口中的所述半导体插塞上方形成沟道结构，并且使所述沟道结构与所述开口中的所述半导体插塞接触；以及

通过用多个导体层替换所述电介质叠层中的所述牺牲层来形成包括多个导体/电介质层对的存储器叠层，还包括在形成所述存储器叠层期间对所述半导体插塞的突出部分进行修整，使得所述半导体插塞的横向尺寸变成沿竖直方向相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体插塞的所述横向尺寸沿所述竖直方向的变化在修整之后小于25％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括硅，并且所述牺牲层中的每个牺牲层包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述半导体插塞包括从所述开口中的所述衬底外延生长半导体层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟道结构包括：

沿着所述开口的在所述半导体插塞上方的侧壁形成存储器膜；以及

形成在所述存储器膜之上竖直地延伸的半导体沟道。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述存储器叠层包括：

形成穿过所述电介质叠层的狭缝；

通过所述狭缝蚀刻所述电介质叠层中的所述牺牲层以形成多个横向凹槽；

沿所述横向凹槽和所述狭缝的侧壁沉积栅极电介质层；以及在所述栅极电介质层之上沉积所述导体层。