[发明专利]半导体模块的制造方法在审
申请号: | 202010076298.X | 申请日: | 2020-01-23 |
公开(公告)号: | CN111489977A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 竹永智裕 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何冲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模块 制造 方法 | ||
本发明提供一种能够向由配置在半导体元件的两面的一对引线框架夹着的区域恰当地填充热固化性树脂并缩短填充所需时间的半导体模块的制造方法。具备半导体元件、在半导体元件的两面互相对置地配置的一对引线框架、以及从一对引线框架突出的引线端子的半导体模块的制造方法具备:在一对引线框架的一方的至少一个部位形成通孔的步骤;以夹着半导体元件的两面的方式配置一对引线框架的步骤;从通孔注入液体状的热固化性树脂,而将树脂填充到由一对引线框架夹着的区域的步骤;以及将填充到上述区域的树脂加热并固化的步骤。
背景技术
本发明涉及一种半导体模块的制造方法。
已知在内置半导体元件(半导体芯片)的半导体模块中,向半导体模块的间隙填充液体状的热固化性树脂(底层填料)的技术。在日本特开2013-138177号公报中记载了在将多个半导体芯片堆叠安装的半导体模块的制造方法中,通过分配器向半导体芯片间的间隙滴下底层填料的技术。
发明内容
在半导体模块中,半导体元件伴随着高速化、高功能化而放出大量的热。因此,需要用于冷却半导体元件的冷却机构。一般使用引线框架作为半导体元件的冷却机构。发明者们研究了如下的方法:在结构为在由对置的一对引线框架夹着的区域中配置有半导体元件的半导体模块中,以底层填料填充由一对引线框架夹着的区域。
图14是发明者们预先研究过的、以底层填料7填充由一对引线框架531、532夹着的区域的方法。如图14所示,在由一对引线框架531、532夹着的区域中配置有半导体元件502、将热量从半导体元件502传导到引线框架531的间隔件506。半导体元件502、间隔件506、一对引线框架531、532由焊料505结合。由分配器21从一对引线框架531、532的外缘向由一对引线框架531、532夹着的区域注入底层填料7。然而,已知在从一对引线框架的外缘注入底层填料的情况下,填充的底层填料的构成成分的浓度在半导体元件附近的区域与其他的区域不同。此外,已知在上述方法中,不易注入底层填料7,为了用于量产,需要缩短向由一对引线框架531、532夹着的区域填充底层填料7所需的时间。
本发明是鉴于以上的背景而做出的,目的在于提供一种能够向由配置在半导体元件的两面的一对引线框架夹着的区域恰当地填充液体状的热固化性树脂并缩短填充所需时间的半导体模块的制造方法。
本发明是半导体模块的制造方法,该半导体模块具备半导体元件、在所述半导体元件的两面互相对置地配置的一对引线框架、以及从所述一对引线框架突出的引线端子,所述半导体模块的制造方法具备:在所述一对引线框架的一方的至少一个部位形成通孔的步骤;以夹着所述半导体元件的两面的方式配置所述一对引线框架的步骤;从所述通孔注入液体状的热固化性树脂,而将所述树脂填充到由所述一对引线框架夹着的区域的步骤;以及将填充到所述区域的所述树脂加热并固化的步骤。
在半导体模块中填充的树脂除了作为基材的主成分和固化剂之外,一般还添加有无机填料、有机填料等添加物,其中,该无机填料为二氧化硅、氧化铝等。在引线框架的一方的至少一个部位形成通孔,当从该通孔注入树脂时,易于向由一对引线框架夹着的区域注入树脂。因此,能够以添加物的含量更均匀的方式恰当地向该区域填充树脂。此外,还能够缩短填充所需的时间。
进而,可以在所述半导体模块中存在多个所述半导体元件,以位于在所述半导体模块中存在的多个所述半导体元件之中发热量最多的半导体元件附近的方式,形成所述通孔。
在半导体模块中填充的树脂中一般添加有氧化铝等促进热传导的成分。在从通孔注入了树脂时,在由一对引线框架夹着的区域中,与远离通孔的位置相比,靠近通孔的位置处的树脂中的添加物的含量比例更接近注入前的树脂中的添加物的含量比例。即,与远离通孔的位置相比,靠近通孔的位置处的树脂中包含的添加物的含量比例更高。因此,在半导体模块中,以位于发热量多的半导体元件的附近的方式形成通孔,从而能够高效地进行该半导体元件的散热。
进而,还可以具备以绝缘性材料涂覆所述引线端子的与所述一对引线框架连接的一侧的端部的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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