[发明专利]半导体装置用接合线在审
| 申请号： | 202010092522.4 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111276459A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 山田隆;小田大造;榛原照男;宇野智裕 | 申请（专利权）人： | 日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨光军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
1.一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，
所述接合线含有选自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度合计为0.1～100质量ppm，Sn≤10质量ppm、Sb≤10质量ppm、Bi≤1质量ppm。
2.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，相对于线整体，选自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的至少1种以上的元素的浓度合计为1～100质量ppm。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述Pd被覆层上还具有包含Au和Pd的合金表皮层。
5.根据权利要求4所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述包含Au和Pd的合金表皮层的厚度为0.0005～0.050μm。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还含有选自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的至少1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为0.011～1.2质量％。
7.根据权利要求1～6的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Cu合金芯材含有Pd，所述Cu合金芯材中所含的Pd的浓度为0.05～1.2质量％。
8.根据权利要求1～7的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还含有选自B、P、Mg、Ca、La中的至少1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为1～100质量ppm。
9.根据权利要求1～8的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在测定所述接合线表面的晶体取向而得到的测定结果中，相对于所述接合线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜111＞的存在比率以面积率计为30～100％。
10.根据权利要求1～9的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述接合线的最表面存在Cu。
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