[发明专利]一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器有效
| 申请号： | 202010092622.7 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111276602B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 朱慧;金磊;王晨;王斯;柳杰;李锐;刘佳慧 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 钨酸铋 材料 挥发性 存储器 | ||
1.一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器，其特征在于：实现该钨酸铋阻变存储器的结构包括STO衬底(1)、下电极(2)、BWO薄膜(3)、上电极(4)；上电极(4)为铂Pt，下电极(2)为钌酸锶；下电极(2)生长在STO衬底(1)上，BWO薄膜(3)生长在下电极(2)上，上电极(4)生长在BWO薄膜(3)上；
选择晶向的STO单晶作为衬底材料，通过脉冲激光沉积方法生长15nm厚的SRO薄膜，作为BWO阻变存储器的下电极；在生长BWO薄膜前，使用氯氮嗪酸蚀刻STO薄膜，裸露出表面光滑的TiO2-原子层；通过PLD技术，在SRO薄膜上生长晶向BWO薄膜；PLD生长薄膜采用波长为248nm，能量密度为～1J cm-2的KrF准分子激光器，脉冲重复频率1Hz；薄膜生长温度700℃，氧气压力13Pa；薄膜沉积完成后，提升氧气压力，使BWO薄膜在104Pa的氧气压力下进行慢退火；
通过控制生长时间控制薄膜厚度，并通过扫描电子显微镜测量进行确认；而薄膜的相和结晶度则通过X射线衍射法进行确认；BWO薄膜生长完成后，使用掩膜版技术在BWO薄膜表面生长厚度为60nm铂圆电极；
使用安捷伦B1500A测量电学特性；通过探针台的探针(5)连接BWO薄膜(3)与安捷伦B1500A，BFO薄膜的下电极(2)接地，上电极(4)连接驱动电压，在室温下，分别测量BWO阻变存储器在正向、负向偏压区域的I-V曲线；并在双对数坐标系下对I-V曲线的斜率变化进行研究，判断钨酸铋阻变存储器的导电机制；
使用安捷伦B1500A对钨酸铋阻变存储器施加长时间的读取电压脉冲，测量阻变存储器的保持特性；使用Radiant铁电铁测试仪，评估钨酸铋阻变存储的疲劳特性。
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