[发明专利]基于p-GeTe/n-Si光伏型红外探测器及其制备方法

权利要求书

1.基于p-GeTe/n-Si光伏型红外探测器，其特征在于所述探测器由n型单晶Si基片、p型GeTe薄膜和两个电极构成；其中：

p型GeTe薄膜设置在单晶Si基片之上；

两个电极其中一个设置在Si基片表面，另一个设置在GeTe薄膜表面。

2.如权利要求1所述的基于p-GeTe/n-Si光伏型红外探测器，其特征在于所述的电极为Al、Au或ITO。

3.如权利要求1所述的基于p-GeTe/n-Si光伏型红外探测器，其特征在于所述的p型GeTe薄膜厚度为20-60nm；电极厚度为50-150nm。

4.如权利要求1所述的基于p-GeTe/n-Si光伏型红外探测器，其特征在于所述的红外探测器，其制备步骤如下：

S1，基片清洗：先将n型单晶Si基片浸泡于由离子水、双氧水、氨水按照2～3:1:1的体积比混合的溶液中，在70～85℃下，清洗30～90min，然后将基片冲洗干净，吹干；

S2，GeTe薄膜溅射：将基片放在磁控溅射仪中，10^-5Pa真空环境下，充Ar气，使腔体气压保持在3～5Pa，使用GeTe靶材溅射60-200s，使得厚度达到20-60nm；

S3，电极蒸镀或退火；

电极蒸镀是将经S2处理的器件放入真空蒸镀室中，真空度小于10^-5Pa后，在GeTe和Si表面分别蒸镀电极30-90s，使得电极厚度达到50-150nm；

退火是将经S3处理的器件取出，在260-400℃范围退火10-20min。

S4，根据S3步骤选择是退火或电极蒸镀，不与步骤S3相同。