[发明专利]基板冷却装置和基板冷却方法在审
申请号: | 202010099333.X | 申请日: | 2020-02-18 |
公开(公告)号: | CN111696888A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 萨米·K·哈托;乔治·萨科;马修·C·法雷尔;迪安·焦拉 | 申请(专利权)人: | 日新离子机器株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 鹿屹;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冷却 装置 方法 | ||
1.一种基板冷却装置,用于冷却基板,所述基板具有上表面、下表面、以及与厚度对应的至少一个垂直侧面,所述基板冷却装置的特征在于,包括:
腔室,构成为接收所述基板,并且具备多个侧壁部,所述多个侧壁部包围所述基板且在与所述基板的所述垂直侧面平行的垂直方向延伸;
至少一个气体导入口,形成于所述腔室的第一侧壁部,并且构成为在与所述基板的所述上表面和所述下表面平行的横向上,向所述腔室内导入冷却气体;以及
至少一个气体出口,形成在与所述腔室的所述第一侧壁部隔着所述基板位于相反侧的所述腔室的第二侧壁部,并且构成为将所述冷却气体的至少一部分沿着所述横向导向所述腔室的外部,
所述气体导入口和所述气体出口以下述方式定位:使所述冷却气体以在所述横向横穿所述基板的所述上表面上和所述下表面上的方式流动。
2.根据权利要求1所述的基板冷却装置,其特征在于,所述气体出口定位在与所述基板在所述垂直方向上相同的位置。
3.根据权利要求1所述的基板冷却装置,其特征在于,所述气体导入口定位在与所述基板在所述垂直方向上相同的位置。
4.根据权利要求1所述的基板冷却装置,其特征在于,还包括配置在所述腔室内的至少一个缓冲器,所述缓冲器以限制所述基板在所述横向的活动的方式在所述垂直方向直立设置。
5.根据权利要求4所述的基板冷却装置,其特征在于,所述缓冲器与承载所述基板的所述腔室内的衬垫一体化。
6.根据权利要求1所述的基板冷却装置,其特征在于,还包括夹紧销,所述夹紧销配置在所述腔室内,以限制所述基板在所述垂直方向和所述横向的活动中的至少一方的方式,在所述垂直方向对所述基板以物理方式施加压力。
7.根据权利要求6所述的基板冷却装置,其特征在于,能在所述垂直方向收纳所述夹紧销。
8.根据权利要求1所述的基板冷却装置,其特征在于,还包括至少一个第二气体导入口,所述至少一个第二气体导入口配置于所述腔室的上壁,并且构成为向所述腔室内导入第二气体并使所述第二气体在所述垂直方向流动。
9.根据权利要求8所述的基板冷却装置,其特征在于,以利用所述第二气体的流动在所述垂直方向对所述基板施加压力的方式,将所述第二气体导入所述腔室内。
10.根据权利要求1所述的基板冷却装置,其特征在于,还包括与所述气体导入口连通的一个或多个阀,所述阀构成为能调整经由所述气体导入口导入所述腔室内的所述冷却气体的流量。
11.一种基板冷却方法,用于冷却基板,所述基板具有上表面、下表面、以及与厚度对应的至少一个垂直侧面,所述基板冷却方法的特征在于,包括:
将所述基板配置在腔室内,其中,所述腔室具备多个侧壁部,所述多个侧壁部包围所述基板且在与所述基板的垂直侧面平行的垂直方向延伸;
经由配置在所述腔室的第一侧壁部的至少一个气体导入口,在与所述基板的所述上表面和所述下表面平行的横向上,向所述腔室内导入冷却气体;
经由形成于第二侧壁部的至少一个气体出口,将所述冷却气体的至少一部分沿着所述横向导向所述腔室的外部,其中,所述第二侧壁部与所述腔室的所述第一侧壁部隔着所述基板位于相反侧;
使所述冷却气体以在所述横向横穿所述基板的所述上表面上和下表面上的方式流动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造