[发明专利]一种砷化镓器件金属保护环在审
申请号: | 202010110737.4 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN111162058A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 沈留明;程岸;王彦硕;汪耀祖 | 申请(专利权)人: | 杭州立昂东芯微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60 |
代理公司: | 浙江英普律师事务所 33238 | 代理人: | 郭锦春 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 砷化镓 器件 金属 保护环 | ||
1.一种砷化镓器件金属保护环,其特征在于,所述金属保护环围绕管芯设置并包括至少三层金属层,所述金属保护环第一层金属层设置在衬底上,所述金属保护环第二层以上金属层包括连接在一起的连续部和断开部,所述连续部围绕管芯,所述连续部的上方和上一层金属层连接,所述断开部分段设置,所述断开部下方和下一层金属层连接,所述第二层以上相邻两层金属层的断开部互相错开设置,所述金属保护环两侧及相邻的两个断开部之间为介电材料。
2.根据权利要求1所述的砷化镓器件金属保护环,其特征在于,所述连续部的宽度大于断开部的宽度。
3.根据权利要求2所述的砷化镓器件金属保护环,其特征在于,所述第一层金属层由在衬底上蒸镀金属形成。
4.根据权利要求3所述的砷化镓器件金属保护环,其特征在于,所述第一层金属层由在衬底上蒸镀Ti、Pd、Au形成,所述Ti厚度为200-500埃,所述Pd厚度为500-800埃,所述Au厚度为5000-10000埃,所述第一层金属层厚度为0.57-1.13um。
5.根据权利要求4所述的砷化镓器件金属保护环,其特征在于,所述第二层金属层厚度为2~6um,所述第三层以上金属层厚度为3~6um。
6.根据权利要求5所述的砷化镓器件金属保护环,其特征在于,所述第二层以上金属层采用在种子层金属TiW/Au上进行电镀形成。
7.根据权利要求1-6任一项所述的砷化镓器件金属保护环,其特征在于,所述介电材料为BCB有机介电材料。
8.根据权利要求7所述的砷化镓器件金属保护环,其特征在于,所述BCB有机介电材料具有和金属层相同的层数。
9.根据权利要求8所述的砷化镓器件金属保护环,其特征在于,所述第一层BCB有机介电材料釆用旋转涂布工序,经过240~300℃高温固化,所述第一层BCB有机介电材料层厚度为2.4~3.0um;所述第二层以上BCB有机介电材料层厚度为2.6~4.0um。
10.根据权利要求9所述的砷化镓器件金属保护环,其特征在于,所述第一层金属层采用化学剥离技术来形成电极。
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