[发明专利]一种超高导电多层单晶压合铜材料的制备方法及铜材料有效
申请号: | 202010123961.7 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111188086B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 刘开辉;吴慕鸿;俞大鹏;王恩哥 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | C30B1/02 | 分类号: | C30B1/02;C30B1/12;C30B29/02 |
代理公司: | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人: | 王欣 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高 导电 多层 单晶压合铜 材料 制备 方法 | ||
1.一种超高导电多层单晶压合铜材料的制备方法,其特征在于,将多层单晶铜箔叠合在一起形成层叠体,采用直接热轧的方式将所述层叠体压合成一体,制备出超高导电多层单晶压合铜材料;
所述方法包括如下步骤:
(一)将所述层叠体在耐高温保护外包层包裹之后,在大气环境下,放置在热轧机轧辊前准备轧制,热轧辊开始升温;所述耐高温保护外包层包括:石墨、氮化硼、陶瓷纤维、石棉、氧化铝纤维、莫来石纤维、石英纤维或云母纤维的毡、布、纸或网,或者耐高温金属铁、镍、特种钢、铂、铼、钽或钨;
(二)热轧辊温度升至500 ~ 1100 ℃时,保持热轧辊间0.5 MPa ~ 200 MPa的压力不变,将耐高温保护外包层包裹的所述层叠体缓慢通过热轧辊进行热轧;所述缓慢通过热轧辊进行热轧的速度为1-1000cm/min;
(三)热轧过程结束后,将温度降至室温,即得到所述超高导电多层单晶压合铜材料;
其中,所述多层单晶铜箔的每一层单晶铜箔具有相同的晶向;
所述超高导电多层单晶压合铜材料电导率为108% IACS ~ 115% IACS;
所述多层单晶铜箔的层叠体的压下率y的范围为0.1%-20%;
单层单晶铜箔厚度为6μm-5mm,所述超高导电多层单晶压合铜材料的厚度为0.05 mm ~100cm;
原料单晶铜箔只有一个晶向Cu(111)的衍射峰,而超高导电多层单晶压合铜材料也只有一个晶向Cu(111)的衍射峰,表明超高导电多层单晶压合铜材料保持了原料单晶铜箔的晶向。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多层单晶铜箔的两相邻铜箔相互接触,中间不设置任何其他材料。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多层单晶铜箔的每一层单晶铜箔具有相同的厚度。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多层单晶铜箔的每一层单晶铜箔具有相同的长度和宽度,或者沿着多层单晶铜箔的层叠方向向上的方向具有逐渐变小的长度和宽度。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述超高导电多层单晶压合铜材料的宽度为0.05mm ~ 500 cm、长1 cm ~ 5000m。
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