[发明专利]一种捧心兰的快速繁殖方法

权利要求书

1.一种捧心兰的快速繁殖方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将捧心兰种子撒播至播种培养基，进行种子萌发，撒播后40～60天，得到无菌苗；

S2、将步骤S1中得到的所述无菌苗转移至继代增殖培养基，进行培养，得到丛生苗；

S3、将步骤S2中得到的所述丛生苗转移至生根培养基，进行生根诱导，得到原球茎；

S4、将步骤S3中得到的所述原球茎栽培至苔藓基质中生长即可；

步骤S2中，采用的所述继代增殖培养基，包括如下原料：

1/2的MS、0.1-0.5mg/L的BA、20g/L土豆泥、1g/L的活性碳；或者，

1/2的MS、0.1-0.5mg/L的BA、20g/L的香蕉泥、1g/L的活性碳；或者，

1/2的MS、0.1-0.5mg/L的BA、4g/L的苹果泥、1g/L的活性碳；或者，

1/2的MS、0.1-0.5mg/L的BA、1g/L的石斛汁、1g/L的活性碳；

步骤S3中，采用的所述生根培养基，以重量百分比计，包括如下原料：

1/2的MS、1～2mg/L的NAA、1g/L的石斛汁、1g/L的活性碳；或者，

1/2的WPM、1～2mg/L的NAA、1g/L的石斛汁、1g/L的活性碳；或者，

1/2的DKW、1～2mg/L的NAA、1g/L的石斛汁、1g/L的活性碳；

步骤S4具体包括如下步骤：

S41、在每年10月至次年4月，向步骤S3中得到的所述原球茎喷涂杀菌剂，并用薄膜盖上6～8天；

S42、将步骤S41中得到的所述原球茎从所述生根培养基中移出，清除根部的所述生根培养基，并在清洗溶液中浸泡20～40s，再在生根溶液中浸泡20～40s，将所述原球茎栽培至苔藓基质中生长即可；

步骤S41中，所述杀菌剂为用无菌水稀释800倍的百菌清溶液；

步骤S42中，所述清洗溶液为用无菌水稀释800倍的百菌清溶液；所述生根溶液为浓度为200ppm的ABT1号生根粉溶液。

2.根据权利要求1所述的捧心兰的快速繁殖方法，其特征在于，步骤S1中，采用的所述播种培养基，包括如下原料：1/2的MS、10g/L椰子汁、1g/L活性碳。

3.根据权利要求1所述的捧心兰的快速繁殖方法，其特征在于，步骤S1中，具体包括如下步骤：

S11、取果荚未开裂的捧心兰种子，先用无菌水冲洗，再用60～80％的酒精浸泡20～40s，然后放入0.1wt％的升汞溶液中，浸泡5～15min，浸泡后用无菌水冲洗，采用无菌纸吸干水分，切开果荚，得到果荚内的捧心兰种子；

S12、将捧心兰种子撒播至播种培养基，在25±2℃的培养温度下，保持所述播种培养基的pH值为5.8～6.8，每日光照12h，光照强度1500～2000lx，进行种子萌发，撒播后40～60天，得到无菌苗。

4.根据权利要求1所述的捧心兰的快速繁殖方法，其特征在于，步骤S2具体包括如下步骤：

S21、将步骤S1中得到的所述无菌苗转移至继代增殖培养基，在25±2℃的培养温度下，保持所述播种培养基的pH值为5.8～6.8，每日光照12h，光照强度1500～2000lx，进行培养，培养20～30天后，得到幼小的丛生苗；

S22、将步骤S21中得到的所述丛生苗继代转接一次，继续培养，培养至繁殖系数大于或等于5，得到长大的丛生苗。

5.根据权利要求1所述的捧心兰的快速繁殖方法，其特征在于，步骤S3中，将步骤S2中得到的所述丛生苗转移至生根培养基，进行生根诱导，诱导20～50天后，得到原球茎。

6.根据权利要求1所述的捧心兰的快速繁殖方法，其特征在于，所述原球茎栽培至苔藓基质后，每6～8天喷涂一次所述杀菌剂，并在如下条件下生长：温度20～27℃、相对湿度65～85％、光照1200～1500lx。