[发明专利]一种基于三元铜基碘化物纳米晶的深蓝光LED及其制备方法

权利要求书

1.一种基于三元铜基碘化物纳米晶的深蓝光LED，包括透明导电衬底(1)，其特征在于：透明导电衬底(1)上依次设有空穴传输层(2)、Cs₃Cu₂I₅纳米晶发光层(3)、电子传输层(4)以及接触电极(5)；

空穴传输层(2)为p型NiO薄膜，其厚度为50～100纳米，电阻率为5.0×10^-2～1.0×10^-1欧姆·厘米；

Cs₃Cu₂I₅纳米晶发光层(3)厚度为120～200纳米，其中单个纳米晶的尺寸为15～20纳米；

电子传输层(4)为1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，其厚度为30～50纳米；

采用高温热注入法制备深蓝光发射的Cs₃Cu₂I₅纳米晶溶液，并采用溶液旋涂的方式在空穴传输层上制备Cs₃Cu₂I₅纳米晶发光层；

高温热注入法是按照下述方式实现的：将0.22毫摩尔的碳酸铯、0.5毫摩尔的油酸和5毫摩尔的十八烯混合并加热到100℃，并在氮气下保持2小时，之后升温至 160℃，并在160℃下注入1毫升碘化亚铜前驱液，在反应10秒后使用冰水浴将其快速冷却；冷却后取出原始溶液并离心获得沉淀物，然后将沉淀物分散在正己烷中得到Cs₃Cu₂I₅纳米晶溶液,

溶液旋涂的方式是按照下述方式实现的：在惰性气体保护下，将Cs₃Cu₂I₅纳米晶溶液均匀旋涂在空穴传输层上，旋涂条件为，低速500转每分钟/5秒，高速3000转每分钟/30秒；最后对旋涂后的样品进行退火处理，退火温度为50℃，时间为10分钟，得到深蓝光发射的Cs₃Cu₂I₅纳米晶发光层。

2.根据权利要求1所述的一种基于三元铜基碘化物纳米晶的深蓝光LED，其特征在于：所述透明导电衬底(1)为ITO导电玻璃衬底或镀有ITO薄层的柔性衬底，ITO薄层的厚度为100～120纳米，电阻率为5.0×10^-4～1.0×10^-3欧姆·厘米。

3.根据权利要求1所述的一种基于三元铜基碘化物纳米晶的深蓝光LED，其特征在于：接触电极(5)为LiF和金属Al的复合材料，其厚度为40～60纳米。

4.一种如权利要求1-3之一所述的基于三元铜基碘化物纳米晶的深蓝光LED的制备方法，其特征在于是按照下述步骤进行的：

(1)清洗透明导电衬底(1)；

(2)采用磁控溅射法或金属有机化学气相沉积法在透明导电衬底(1)上制备空穴传输层(2)；

(3)采用高温热注入法制备深蓝光发射的Cs₃Cu₂I₅纳米晶溶液，并采用溶液旋涂的方式在空穴传输层(2)上制备Cs₃Cu₂I₅纳米晶发光层(3)；

(4)采用热蒸镀法在Cs₃Cu₂I₅纳米晶发光层(3)上沉积电子传输层(4)；

(5)采用热蒸镀法在电子传输层(4)上沉积电极(5)。