[发明专利]蒸镀掩模的制造方法有效

专利信息
申请号: 202010180279.1 申请日: 2020-03-16
公开(公告)号: CN111705296B 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 中尾健次;田畠弘志;佐藤晶仁 申请(专利权)人: 株式会社日本显示器
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/24
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 邸万杰;徐飞跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 蒸镀掩模 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,包括:

通过曝光工艺,在基材上的光致抗蚀剂层形成根据有无曝光而划定的曝光图案的步骤;

通过显影工艺,与所述曝光图案相应地从所述光致抗蚀剂层除去不要的部分,形成蚀刻掩模的步骤;和

隔着所述蚀刻掩模对所述基材进行蚀刻的步骤,

所述曝光图案包括:在相互正交的第1方向和第2方向上排列的作为所述不要的部分而要被除去的多个高溶解区域;和作为所述蚀刻掩模而要被保留的低溶解区域,

所述多个高溶解区域在所述第1方向上的相邻的多行排列,且在所述多行中分别在所述第2方向上排列,

所述曝光工艺包括多次扫描曝光,所述多次扫描曝光沿所述第1方向分别扫描,在所述第2方向上依次移动,且以彼此相邻的扫描区域的端部重叠的方式进行,

所述多次扫描曝光分别包括在所述第1方向上依次进行的多次的分开曝光,

通过所述多次的分开曝光的至少1次,在所述多行分别划定一组所述高溶解区域,

所述多次扫描曝光包括所述彼此相邻的扫描区域的所述端部重叠的第1扫描曝光和第2扫描曝光,

所述第1扫描曝光所划定的所述一组所述高溶解区域,在所述第2扫描曝光的方向的最靠端部的位置包括第1高溶解区域,

所述第2扫描曝光所划定的所述一组所述高溶解区域,在所述第1扫描曝光的方向的最靠端部的位置包括第2高溶解区域,

所述第1高溶解区域和所述第2高溶解区域位于所述彼此相邻的扫描区域的所述重叠的端部,

在所述第1扫描曝光中,在所述多行的彼此相邻的一对行中,将所述第1高溶解区域划定于避开沿所述第1方向的直线方向而在倾斜方向上相互偏离的位置,

在所述第2扫描曝光中,在所述一对行中将所述第2高溶解区域划定于在所述倾斜方向上相互偏离的位置。

2.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法,其特征在于:

所述第1高溶解区域和所述第2高溶解区域在所述多行的每一行中在所述第2方向上相邻。

3.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法,其特征在于:

在所述多次扫描曝光的每一次扫描曝光中,将由所述至少1次的分开曝光划定的所述一组所述高溶解区域划定成在所述一对行中数量不同。

4.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法,其特征在于:

从所述第1高溶解区域向所述第2高溶解区域去的方向,与从所述第1扫描曝光向所述第2扫描曝光去的方向相同。

5.如权利要求1所述的蒸镀掩模的制造方法,其特征在于:

通过所述至少1次的分开曝光,将所述一组所述高溶解区域划定成在其中存在且排列有非曝光区域,其中所述非曝光区域具有包含所述多个高溶解区域中的1个高溶解区域的大小,

在所述第1扫描曝光所划定的所述非曝光区域中,通过所述第2扫描曝光划定所述第2高溶解区域,

在所述第1扫描曝光所划定的所述第1高溶解区域中,通过所述第2扫描曝光划定所述非曝光区域。

6.如权利要求5所述的蒸镀掩模的制造方法,其特征在于:

所述非曝光区域包括2个以上的非曝光区域,

在所述第1扫描曝光所划定的所述2个以上的非曝光区域中,分别通过所述第2扫描曝光划定所述一组所述高溶解区域的2个以上的所述高溶解区域,

在所述第1扫描曝光所划定的所述一组所述高溶解区域的2个以上的所述高溶解区域中,分别通过所述第2扫描曝光划定所述2个以上的非曝光区域。

7.如权利要求6所述的蒸镀掩模的制造方法,其特征在于:

在所述第1扫描曝光中,在所述一对行中,将所述2个以上的非曝光区域划定成在沿所述第1方向的所述直线方向上以不同的排列图案进行排列,

在所述第2扫描曝光中,在所述一对行中,将所述2个以上的非曝光区域划定成在所述直线方向上以不同的排列图案进行排列。

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