[发明专利]蒸镀掩模的制造方法有效
申请号: | 202010180279.1 | 申请日: | 2020-03-16 |
公开(公告)号: | CN111705296B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 中尾健次;田畠弘志;佐藤晶仁 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸万杰;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蒸镀掩模 制造 方法 | ||
本发明提供一种蒸镀掩模的制造方法。多次扫描曝光(SE)包括彼此相邻的扫描区域的端部重叠的第1扫描曝光(SE1)和第2扫描曝光(SE2)。第1扫描曝光(SE1)所划定的一组高溶解区域(34)包括第1高溶解区域(34A)。第2扫描曝光(SE2)所划定的一组高溶解区域(34)包括第2高溶解区域(34B)。在第1扫描曝光(SE1)中,在多行的彼此相邻的一对行(L1、L2)中,将第1高溶解区域(34A)划定于避开沿第1方向(D1)的直线方向而在倾斜方向上偏离的位置。在第2扫描曝光(SE2)中,在一对行(L1、L2)中,将第2高溶解区域(34B)划定于在倾斜方向上偏离的位置。由此能够形成高精度的蒸镀掩模。
技术领域
本发明涉及蒸镀掩模的制造方法。
背景技术
在有机电致发光显示装置的制造中,进行使用了蒸镀掩模的蒸镀。蒸镀掩模具有与成膜图案相应的多个开口(专利文献1),该开口的形成可通过使用了蚀刻掩模的蚀刻来进行。蚀刻掩模由应用光刻法进行了图案形成的光致抗蚀剂形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-150017号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
当在光刻法中需要进行细微的图案形成时,将曝光区域分割成多个,进行多次曝光。但是,在采用这样的方式时,存在彼此相邻的曝光区域之间的交界处变得显眼的情况。
本发明的目的在于形成高精度的蒸镀掩模。
用于解决问题的技术手段
本发明的蒸镀掩模的制造方法的特征在于,包括:通过曝光工艺,在基材上的光致抗蚀剂层形成根据有无曝光而划定的曝光图案的步骤;通过显影工艺,与所述曝光图案相应地从所述光致抗蚀剂层除去不要的部分,形成蚀刻掩模的步骤;和隔着所述蚀刻掩模对所述基材进行蚀刻的步骤,所述曝光图案包括:在相互正交的第1方向和第2方向上排列的作为所述不要的部分而要被除去的多个高溶解区域;和作为所述蚀刻掩模而要被保留的低溶解区域,所述多个高溶解区域以在所述第1方向上相邻的多行排列,且在所述多行中分别在所述第2方向上排列,所述曝光工艺包括多次扫描曝光,所述多次扫描曝光沿所述第1方向分别扫描,在所述第2方向上依次移动,且以彼此相邻的扫描区域的端部重叠的方式进行,所述多次扫描曝光分别包括在所述第1方向上依次进行的多次的分开曝光,通过所述多次的分开曝光的至少1次,在所述多行分别划定一组所述高溶解区域,所述多次扫描曝光包括所述彼此相邻的扫描区域的所述端部重叠的第1扫描曝光和第2扫描曝光,所述第1扫描曝光所划定的所述一组所述高溶解区域,在所述第2扫描曝光的方向的最靠端部的位置包括第1高溶解区域,所述第2扫描曝光所划定的所述一组所述高溶解区域,在所述第1扫描曝光的方向的最靠端部的位置包括第2高溶解区域,在所述第1扫描曝光中,在所述多行的彼此相邻的一对行中,将所述第1高溶解区域划定于避开沿所述第1方向的直线方向而在倾斜方向上相互偏离的位置,在所述第2扫描曝光中,在所述一对行中将所述第2高溶解区域划定于在所述倾斜方向上相互偏离的位置。
依照本发明,第1高溶解区域和第2高溶解区域各自不会在沿第1方向的直线方向上排列。因此,使第1高溶解区域和第2高溶解区域的交界处变得不显眼。
附图说明
图1是第1实施方式中制造的蒸镀掩模的俯视图。
图2是图1所示的蒸镀掩模的II-II线截面图。
图3是图1所示的部分III的放大图。
图4是第1实施方式的变形例的蒸镀掩模的俯视图。
图5是图4所示的蒸镀掩模的V-V线截面图。
图6是表示使用了图1和图2所示的蒸镀掩模的蒸镀工艺的图。
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