[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括以下工序：

载置工序，将所述基板载置于被设定为规定的温度的静电吸盘上；

第一吸附工序，向所述静电吸盘施加第一直流电压，来将所述基板吸附于该静电吸盘上；

保持工序，一边向所述静电吸盘施加所述第一直流电压，一边保持所述静电吸盘对所述基板的吸附，直至所述静电吸盘与所述基板的温度差成为30℃以下；以及

第二吸附工序，向所述静电吸盘施加比所述第一直流电压高的第二直流电压，来将所述基板吸附于该静电吸盘上。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

还包括在所述第一吸附工序与所述保持工序之间以第一压力向所述基板的背面供给传热气体的第一气体供给工序。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述第二吸附工序之后以比所述第一压力高的第二压力向所述基板的背面供给传热气体的第二气体供给工序。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一直流电压为1500V以下的电压。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第二直流电压为2500V以上的电压。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述规定的温度为对所述基板进行处理的目标温度。

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，

所述规定的温度为60℃以上。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

还包括处理工序，在所述处理工序中，在所述第二吸附工序之后向所述基板的上方供给处理气体，通过所述处理气体生成等离子体来进行等离子体处理。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

还包括在所述载置工序之前设定所述保持工序的时间的设定工序，

在所述设定工序中，基于预先导出的所述静电吸盘的温度与所述保持工序的时间的相关关系，根据进行所述基板的处理时的所述静电吸盘的温度来设定所述保持工序的时间。

10.一种基板处理装置，进行基板的处理，所述基板处理装置具有：

静电吸盘，其载置所述基板；以及

控制部，其控制所述静电吸盘，

其中，所述控制部控制所述静电吸盘，以执行以下工序：

载置工序，将所述基板载置于被设定为规定的温度的静电吸盘上；

第一吸附工序，向所述静电吸盘施加第一直流电压，来将所述基板吸附于该静电吸盘；

保持工序，一边向所述静电吸盘施加所述第一直流电压，一边保持所述静电吸盘对所述基板的吸附，直至所述静电吸盘与所述基板的温度差成为30℃以下；以及

第二吸附工序，向所述静电吸盘施加比所述第一直流电压高的第二直流电压，来将所述基板吸附于该静电吸盘上。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部预先导出所述静电吸盘的温度与所述保持工序的时间的相关关系，

所述控制部基于所述相关关系，根据进行所述基板的处理时的所述静电吸盘的温度来设定所述保持工序的时间。