[发明专利]基板处理方法和基板处理装置在审
| 申请号： | 202010201544.X | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111755374A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 高桥徹;辻本宏;新藤信明;米田滋 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够在基板处理中减少通过静电吸盘吸附基板时的微粒并且使该基板处理的生产率提高。进行基板的处理的方法包括：载置工序，将所述基板载置于被设定为规定的温度的静电吸盘上；第一吸附工序，向所述静电吸盘施加第一直流电压来将所述基板吸附于该静电吸盘上；保持工序，一边向所述静电吸盘施加所述第一直流电压，一边保持所述静电吸盘对所述基板的吸附，直至所述静电吸盘与所述基板的温度差成为30℃以下；以及第二吸附工序，向所述静电吸盘施加比所述第一直流电压高的第二直流电压来将所述基板吸附于该静电吸盘上。
技术领域
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
背景技术
在专利文献1中公开了将使晶圆吸附于静电吸盘的吸附面时的、吸附前的晶圆温度与吸附后的晶圆的最高温度之差设为50℃以下。并且，在专利文献1中也公开了将向静电吸盘进行吸附之前的晶圆进行预热以使所述差为50℃以下。
专利文献1：日本特开2000-12664号公报
发明内容
本公开所涉及的技术减少在基板处理中通过静电吸盘吸附基板时的微粒，并且使该基板处理的生产率提高。
本公开的一个方式是一种基板处理方法，包括以下工序：载置工序，将所述基板载置于被设定为规定的温度的静电吸盘上；第一吸附工序，向所述静电吸盘施加第一直流电压，来将所述基板吸附于该静电吸盘上；保持工序，一边向所述静电吸盘施加所述第一直流电压，一边保持所述静电吸盘对所述基板的吸附，直至所述静电吸盘与所述基板的温度差成为30℃以下；以及第二吸附工序，其向所述静电吸盘施加比所述第一直流电压高的第二直流电压，来将所述基板吸附于该静电吸盘上。
根据本公开，能够减少在基板处理中通过静电吸盘吸附基板时的微粒，并且使该基板处理的生产率提高。
附图说明
图1是表示施加于静电吸盘的直流电压、静电吸盘的温度以及晶圆的温度的随时间的变化的说明图。
图2是表示静电吸盘与晶圆的温度差同在晶圆的背面产生的划痕的长度之间的关系的说明图。
图3是表示施加于静电吸盘的直流电压、静电吸盘的温度、晶圆的温度以及传热气体的压力的随时间的变化的说明图。
图4是示意性地表示本实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构的概要的纵剖截面图。
图5是表示本实施方式所涉及的等离子体处理中的处理工序的说明图。
图6是表示静电吸盘的温度与保持工序的时间的相关关系的说明图。
具体实施方式
在半导体器件的制造工序中，在等离子体处理装置中，通过激励处理气体来生成等离子体，通过该等离子体对半导体晶圆(下面称作“晶圆”。)进行处理。在所述等离子体处理装置设置用于载置并吸附晶圆的静电吸盘(ESC：Electrostatic Chuck)，在将晶圆吸附保持于该静电吸盘上的状态下进行等离子体处理。
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