[发明专利]一种基于桥结构的硅通孔开路故障测试结构

权利要求书

1.一种基于桥结构的硅通孔开路故障测试结构，包括输入端、测试端和捕获端，其特征在于：所述输入端包括一低通滤波器；所述测试端包括由4个电阻组成的电桥结构、一PMOS管以及一参考电容组成，所述电桥结构，桥臂中两电阻的比值相等，并在两电桥桥臂之间连接待测硅通孔，所述参考电容连接在电桥结构与输入端之间，所述PMOS管的栅极连接在电桥结构其中一电桥桥臂的两电阻之间，其源级连接在另一电桥桥臂的两电阻之间。

2.根据权利要求1所述的一种基于桥结构的硅通孔开路故障测试结构，其特征在于：所述捕获端包括一蓄能电容以及包含多个反相器串联组成的输出缓冲器，所述蓄能电容分别连接PMOS管的源级以及输出缓冲器。

3.根据权利要求2所述的一种基于桥结构的硅通孔开路故障测试结构，其特征在于：所述输出缓冲器中，反相器链中连接有若干组电容。

4.根据权利要求1所述的一种基于桥结构的硅通孔开路故障测试结构，其特征在于：所述低通滤波器包括一滤波电阻和一滤波电容，低通滤波器连接由环形振荡器生成的伪正弦信号。

5.根据权利要求4所述的一种基于桥结构的硅通孔开路故障测试结构，其特征在于：所述环形振荡器产生一个的伪正弦波频率为2GHz。

6.根据权利要求1所述的一种基于桥结构的硅通孔开路故障测试结构，其特征在于：所述参考电容采用金属绝缘层半导体结构的电容。