[发明专利]半导体器件测试系统及方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件测试系统。所述半导体器件测试系统包括上位机、电源输入单元、门极驱动单元、温度调节单元及检测单元。所述上位机用于根据用户的测试指令发出不同的控制信号。所述电源输入单元用于根据上位机传输的控制信号提供高压电源。所述门极驱动单元用于根据上位机传输的控制信号产生对应的驱动信号。所述温度调节单元用于根据上位机传输的控制信号提供测试所需的温度。所述检测单元用于根据上位机传输的控制信号获取待测半导体器件的测试数据，并将测试数据传输至上位机以得到测试结果。本发明还提供了一种半导体器件测试方法。如此，可实现测试过程的集成控制，提高测试效率。

技术领域

本发明涉及半导体测试领域，尤其涉及一种半导体器件测试系统及方法。

背景技术

由于宽禁带半导体功率器件具备更高的开关频率，更快的开关速度，更高的击穿电压强度，更高的结温，更低的损耗和热阻，在新能源汽车、军工电源、轨道交通等领域得到越来越广的应用。宽禁带半导体功率器件在应用的过程中，对宽禁带半导体功率器件的器件参数(如开关参数、开关损耗、Vds尖峰等)、门极驱动器参数、主回路杂感参数、结温热阻参数等要求较高。目前的半导体功率器件动态测试平台均为以IGBT为代表的硅类器件设计，存在测试回路杂感大、回路杂感及负载电感不可调等问题，如此导致测试系统各部件控制离散且不智能、测试效率较低。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种集成化控制且高效率的半导体器件测试系统及方法。

本发明为达上述目的所提出的技术方案如下：

一种半导体器件测试系统，用于为待测半导体器件提供测试回路，并对待测半导体器件进行测试，所述半导体器件测试系统包括上位机、电源输入单元、门极驱动单元、温度调节单元及检测单元，所述电源输入单元、所述门极驱动单元、所述温度调节单元及所述检测单元均电连接于所述上位机及所述待测半导体器件之间，所述上位机用于根据用户的测试指令分别发出不同的控制信号至所述电源输入单元、所述门极驱动单元、所述温度调节单元及所述检测单元，所述电源输入单元用于根据所述上位机传输的控制信号为所述待测半导体器件所在的测试回路提供测试所需的高压电源，所述门极驱动单元用于根据所述上位机传输的控制信号产生测试所需的驱动信号以驱动所述待测半导体器件工作，所述温度调节单元用于根据所述上位机传输的控制信号为所述待测半导体器件提供测试所需的温度，所述检测单元用于根据所述上位机传输的控制信号获取所述待测半导体器件的测试数据，并将所述测试数据传输至所述上位机，所述上位机对所述测试数据进行处理以得到测试结果，并输出所述测试结果。

进一步地，所述电源输入单元包括电源输入端、开关控制模块、稳压模块及电感调节模块，所述开关控制模块电连接于所述电源输入端及所述稳压模块之间，所述稳压模块与所述待测半导体器件电连接，所述电源输入端、所述开关控制模块及所述稳压模块均电连接于所述上位机，所述电感调节模块的一端电连接于所述稳压模块与所述待测半导体器件之间，所述电感调节模块的另一端电连接于所述上位机，所述电源输入端用于根据所述上位机传输的控制信号输出可调的直流高压，所述开关控制模块用于根据所述上位机传输的控制信号导通或截止所述待测半导体器件的测试回路，所述稳压模块用于根据所述上位机传输的控制信号调节回路杂感，以输出稳定的电压，所述电感调节模块用于根据所述上位机传输的控制信号为所述待测半导体器件所在测试回路提供负载电感。

进一步地，所述稳压模块包括第一级电容母排及第二级电容母排，所述第一级电容母排的一端与所述待测半导体器件的第一端电连接，所述第一级电容母排的另一端与所述待测半导体器件的第二端电连接，所述第一级电容母排远离所述待测半导体器件设置，所述第二级电容母排的一端与所述待测半导体器件的第一端电连接，所述第二级电容母排的另一端与所述待测半导体器件的第二端电连接，所述第二级电容母排靠近所述待测半导体器件设置，且所述第二级电容母排的电容值小于所述第一级电容母排的电容值，所述待测半导体器件的第三端与所述门极驱动单元电连接。