[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010264931.8 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN111816648A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 今西元纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具有：
高电位侧开关元件及低电位侧开关元件，它们构成逆变器；
初级侧IC芯片，其输出与输入信号对应的电信号；
第1次级侧IC芯片，其基于所述电信号对所述高电位侧开关元件进行驱动；以及
第2次级侧IC芯片，其基于所述电信号对所述低电位侧开关元件进行驱动，
所述初级侧IC芯片包含与所述第1次级侧IC芯片及所述第2次级侧IC芯片电绝缘的绝缘元件，
所述第1次级侧IC芯片堆叠于所述高电位侧开关元件之上，
所述第2次级侧IC芯片堆叠于所述低电位侧开关元件之上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1次级侧IC芯片堆叠于所述高电位侧开关元件的发射极电极之上，
所述第2次级侧IC芯片堆叠于所述低电位侧开关元件的发射极电极之上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
还具有自举二极管，该自举二极管的阳极与连接于所述初级侧IC芯片的电源电极的电源连接，并且阴极与所述第1次级侧IC芯片及所述第2次级侧IC芯片的电源电极连接，
所述自举二极管向所述第1次级侧IC芯片及所述第2次级侧IC芯片的所述电源电极供给来自所述电源的电流。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述第1次级侧IC芯片及所述第2次级侧IC芯片内置温度感测二极管。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述高电位侧开关元件及所述低电位侧开关元件为SiC元件。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述高电位侧开关元件及所述低电位侧开关元件为GaN元件。
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