[发明专利]外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置

权利要求书

1.一种外延硅晶片的制造方法，其使用气相沉积装置在所述硅晶片上形成外延膜，所述气相沉积装置具备：

反应室，供外延膜生长；晶片移载室，设置成经由能够密闭并开放所述反应室的连通部，能够将硅晶片搬送至所述反应室；及排气装置，经由与所述反应室连接的排气管，对所述反应室进行排气，

所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，

在所述晶片移载室的压力高于所述反应室的压力且所述排气装置正在对所述反应室进行排气的状态下打开所述连通部，将所述晶片移载室内的硅晶片搬送至所述反应室之后，关闭所述连通部之后使所述反应室的压力相比于关闭所述连通部的时点的压力暂时上升之后下降，由此将所述排气管内的附着物移送至所述排气装置侧之后，开始形成所述外延膜。

2.根据权利要求1所述的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，

通过设置于所述排气管内的排气调整部，使所述反应室的压力上升。

3.根据权利要求2所述的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，

关闭所述连通部之后，无需变更所述排气装置的驱动状态而由所述排气调整部调整所述反应室的排气，由此使所述反应室的压力上升之后，伴随所述反应室的压力与比所述排气调整部更靠所述排气装置侧的压力之差、及利用了所述排气装置的所述反应室的排气，将所述排气管内的附着物移送至所述排气装置侧。

4.根据权利要求3所述的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，

所述排气调整部具备：

第1调整部，形成为所述反应室侧的第1开口大于所述排气装置侧的第2开口的锥台筒状；及

第2调整部，设置于比所述第1调整部更靠所述排气装置侧，且形成为所述反应室侧的第3开口大于所述排气装置侧的第4开口的锥台筒状，

所述排气调整部构成为如下：将所述排气管的内径、所述第1开口的直径及所述第3开口的直径设为A、将所述第2开口的直径设为B、将所述第4开口的直径设为C时，

B/A及C/A为0.33以下，

B/A及C/A中的至少一个为0.26以下，

（B+C）/A为0.59以下。