[发明专利]外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置

说明书

本发明提供一种外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置。所述气相沉积装置具备设置于排气管（8）内并调整反应室（2）的排气的排气调整部（9），排气调整部（9）具备：上游挡板（91），形成为反应室（2）侧的第1开口（91A）大于排气装置（7）侧的第2开口（91B）的锥台筒状；及下游挡板（92），设置于比上游挡板（91）更靠排气装置（7）侧，且形成为反应室（2）侧的第3开口（92A）大于排气装置（7）侧的第4开口（92B）的锥台筒状，上游挡板（91）及下游挡板（92）形成为如下：将排气管（8）的内径、第1开口（91A）的直径及第3开口（92A）的直径设为A、将第2开口（91B）的直径设为B、将第4开口（92B）的直径设为C时，满足B/A及C/A为0.33以下、B/A及C/A中的至少一个为0.26以下、（B+C）/A为0.59以下的条件。

本申请是国际申请日为2015年12月17日、国家申请号为201580066944.1（国际申请号为PCT/JP2015/084290）、发明名称为“外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置。

背景技术

以往，已知有制造外延硅晶片的气相沉积装置（例如，参考专利文献1）。

专利文献1中所记载的装置中，在使设为氮气气氛的晶片移载室的压力高于设为氢气气氛的反应室的压力的状态下，开放活动隔板机构而使晶片移载室的氮气流入到反应室中。并且，在将晶片移载室的硅晶片载置于反应室之后，关闭活动隔板机构而停止向反应室供给氮气，从而在硅晶片上形成硅外延膜。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-232455号公报。

发明内容

发明要解决的技术课题

如专利文献1中所记载的装置中，设有经由排气管对反应室进行排气的排气装置。排气管内有时存在外延膜的原料即作为附着物的硅的产物。

由于在排气管内存在产物的状态下，将晶片移载室的硅晶片载置于反应室中，因此若在晶片移载室的压力高于反应室的压力的状态下开放活动隔板机构，则晶片移载室的氮气会流入到反应室中，因此有时晶片移载室的压力变为低于反应室的压力。若晶片移载室的压力低于反应室的压力，则即使利用排气装置对反应室进行排气，也会在排气管内产生欲提高晶片移载室的压力的气体的流动，排气管内的产物有可能流入到反应室中。

流入到反应室中的产物附着于硅晶片上，有可能成为发生LPD（Light PointDefect：光点缺陷）的原因。

本发明的目的在于提供一种外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置，所述制造方法能够得到LPD密度较小的高品质的外延硅晶片。

用于解决技术课题的手段

本发明人等重复进行深入研究的结果，着眼于将晶片移载室的硅晶片载置于反应室之后的反应室的压力变化，完成了本发明。

即，本发明的外延硅晶片的制造方法，其使用气相沉积装置在所述硅晶片上形成外延膜，所述气相沉积装置具备：反应室，供外延膜生长；晶片移载室，设置成经由能够密闭并开放所述反应室的连通部，能够将硅晶片搬送至所述反应室中；及排气装置，经由与所述反应室连接的排气管，对所述反应室进行排气，所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，在所述晶片移载室的压力高于所述反应室的压力且所述排气装置正在对所述反应室进行排气的状态下，打开所述连通部，将所述晶片移载室内的硅晶片搬送至所述反应室之后，关闭所述连通部之后使所述反应室的压力相比于关闭所述连通部的时点的压力暂时上升之后下降，由此将所述排气管内的附着物移送至所述排气装置侧之后，开始形成所述外延膜。

本发明的外延硅晶片的制造方法中，优选通过设置于所述排气管内的排气调整部，使所述反应室的压力上升。