[发明专利]一种非易失性闪存器件及其制备方法

权利要求书

1.一种非易失性闪存器件的制备方法，所述非易失性闪存器件至少包括存储区域的存储单元，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底，对所述衬底定义所述非易失性闪存器件的存储区域；

在对应所述存储区域的衬底上形成所述存储单元的堆叠栅极，所述堆叠栅极的顶部为所述存储单元的存储控制栅极；

以填充在多个存储单元的堆叠栅极之间的流动性光刻胶为掩膜，刻蚀所述存储控制栅极以降低所述存储控制栅极的高度；以及

去除所述流动性光刻胶。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，以流动性光刻胶为掩膜刻蚀所述存储控制栅极进一步包括：

沉积覆盖所述堆叠栅极的流动性光刻胶，所述流动性光刻胶填满多个存储单元的堆叠栅极之间的间隙；

对所述流动性光刻胶进行回刻，以露出所述堆叠栅极顶部的存储控制栅极；以及

对所露出的存储控制栅极进行刻蚀。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述流动性光刻胶为有机介电层。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，刻蚀所述存储控制栅极以使所述存储控制栅极的高度降低15％-30％，和/或控制所述存储控制栅极的刻蚀以使刻蚀后的存储控制栅极的高度在1400A以上。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述堆叠栅极进一步包括形成所述存储单元的浮栅极，所述存储控制栅极形成在所述浮栅极的上方。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在以流动性光刻胶为掩膜刻蚀所述存储控制栅极之前，所述制备方法还包括：

对所述堆叠栅极外侧的衬底顶部进行有源区离子注入以及LDD离子注入。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在去除所述流动性光刻胶后，所述制备方法还包括：

在所述堆叠栅极两侧形成侧墙；

对形成侧墙后的堆叠栅极外侧的衬底顶部进行源漏离子注入。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非易失性闪存器件还包括外围电路区域的外围单元；所述制备方法还包括：

对所述衬底定义所述非易失性闪存器件的外围电路区域；以及

在形成所述存储控制栅极的同时，同步地在对应所述外围电路区域的衬底上形成所述外围单元的外围控制栅极。

9.一种非易失性闪存器件，其特征在于，所述非易失性闪存器件通过权利要求1-8中任一项所述的制备方法形成。

10.如权利要求9所述的非易失性闪存器件，其特征在于，所述非易失性闪存器件具有致密的填充在存储区域的多个存储单元的堆叠栅极之间的层间绝缘层。