[发明专利]晶圆清洗装置

说明书

本发明提供的晶圆清洗装置，属于半导体清洗技术领域，包括：清洗腔体；等离子发生装置；清洗物支撑支架，适于放置晶圆，设置于所述清洗腔体内并位于所述上极板与所述下极板之间，所述清洗物支撑支架包括底板，以及设置在所述底板上支撑部，所述支撑部适于作用在晶圆上并使所述晶圆的第一面或第二面与所述底板的表面间隔一定空间；本发明的晶圆清洗装置，晶圆的第一面可以直接与等离子进行接触，对第一面进行清洗；晶圆的第二面与底板间隔一定的空间，等离子体进入到间隔空间内，与第二面接触，实现对晶圆的第二面的接触；使得在无需对晶圆翻转的情况下，实现对晶圆的上下表面的清洗，提高了清洗效率。

技术领域

本发明涉及半导体清洗技术领域，具体涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

集成电路制造工艺过程通常是指将导体、半导体以一定的工艺顺序沉积在晶圆上；在沉积之后，需要对晶圆进行化学机械研磨，实现对微观粗糙表面全局平坦化处理，以便进行后续的工艺过程；使用化学机械研磨完成晶圆表面平整后，还需要对晶圆表面进行清洗，以去除研磨过程中的各种微小颗粒。

在对晶圆的清洗过程中，一般都采用等离子体清洗的方式。现有技术中的清洗设备中通常设置有圆晶承载支架，当对圆晶进行顶面清洗时，圆晶的底面通常与圆晶承载支架的上表面进行贴合，为了实现对晶圆的双面清洗，通常在完成对圆晶的顶面的清洗后，然后通过控制单元将晶圆从清洗腔体取出后，放置在相对独立的翻转单元上，待所述翻转单元对晶圆进行翻转之后，再由所述控制单元将翻转后的晶圆转移至清洗腔体内，以实现晶圆底面的清洗。

但是，晶圆在清洗过程翻面的程序，需要时间比较长，同时由于翻面操作需要采用翻转单元，翻转单元也容易对晶圆造成再次污染，进而降低了清洗效率。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的由于需要翻面的过程，导致的清洗效率低的缺陷，从而提供一种晶圆清洗装置。

本发明提供的晶圆清洗装置，包括：清洗腔体，内部设置有相对设置的上电极板和下电极板；等离子发生装置，与所述上电极板和下电极板电连接；

还包括：

清洗物支撑支架，适于放置晶圆，设置于所述清洗腔体内并位于所述上电极板与所述下电极板之间，所述清洗物支撑支架包括底板，以及设置在所述底板上支撑部，所述支撑部适于作用在晶圆上并使所述晶圆的第一面或第二面与所述底板的表面间隔一定空间。

作为优选方案，所述支撑部为支撑腿，至少具有一个，设置在底板上，适于与晶圆的外圆周卡接。

作为优选方案，所述支撑腿具有若干个，间隔设置在底板上，所述支撑腿上设置有过渡台阶，若干个所述过渡台阶形成支撑晶圆的容纳腔。

作为优选方案，所述支撑腿上设置有适于晶圆进入的敞口，晶圆适于通过所述敞口固定在所述支撑腿上。

作为优选方案，所述支撑腿与所述底板之间的夹角为30度到150度。

作为优选方案，所述支撑腿与所述底板之间的夹角为90度。

作为优选方案，所述底板上设置有镂空部。

作为优选方案，所述底板呈圆形，所述镂空部的中心与所述底板的圆心相重合。

作为优选方案，所述支撑部的材质为橡胶。

本发明技术方案，具有如下优点：