[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体基底；

位于所述半导体基底上的介质层；

嵌入于所述介质层当中的至少一个凹槽；

凹槽中的金属互连线；

所述凹槽的内壁具有侧墙。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体基底上具有第一阻挡层，所述第一阻挡层位于所述侧墙下方，并与所述侧墙一起位于所述金属互连线的侧壁。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述侧墙和所述金属互连线的顶部具有第二阻挡层。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层、所述侧墙和所述第二阻挡层的材质相同。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述材质包括氮氧化硅(SiON)、氧化物、碳氮化硅(SiCN)或氮化硅(SiN)。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括：围绕金属互连线底部和侧壁的第三阻挡层。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体基体中还包括通孔，所述金属互连线与通孔中的接触塞连接。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述金属互联线为铜，所述通孔中的接触塞为钨或钴。

9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，其中所述半导体基底上沉积有第一介质层；

在第一介质层上形成牺牲互连线，在牺牲互连线两侧形成侧墙；

刻蚀牺牲互连线从而在侧墙内形成凹槽；

在所述凹槽内填充金属形成金属互连线。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在第一介质层上形成牺牲互连线，在牺牲互连线两侧形成侧墙的步骤包括：

在第一介质层上形成第一阻挡层和牺牲材料层；

对所述牺牲材料层进行刻蚀至所述第一阻挡层，获得所述牺牲互连线；

在整个半导体结构表面形成侧墙材料层；

对所述侧墙材料层进行各向异性刻蚀从而形成侧墙。

11.如权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，牺牲互连线两侧形成侧墙后，在刻蚀牺牲互连线之前，进一步包括：

在整个半导体基底形成第二介质层；

并将所述第二介质层减薄至露出牺牲互连线。

12.如权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述凹槽内填充金属形成金属互连线后，进一步包括：

在所述侧墙和所述金属互连线的顶部形成第二阻挡层。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述凹槽内填充金属形成金属互连线之后，在所述侧墙和所述金属互连线的顶部形成第二阻挡层之前，进一步包括：

回刻蚀所述第二介质层。

14.根据权利要求13所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，第二介质层回刻蚀的厚度为10-50nm。

15.如权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述凹槽内填充金属形成金属互连线的步骤包括：

在所述凹槽内填充第三阻挡层；

填充金属材料层；

对所述金属材料层进行化学机械抛光(CMP)形成金属互连线。