[发明专利]半导体外延设备中的反应腔室及半导体外延设备

权利要求书

1.一种半导体外延设备中的反应腔室，其特征在于，包括自上而下依次叠置的上拱顶、基座环、支撑座，所述上拱顶、基座环、支撑座配合围成所述反应腔室的反应腔，所述反应腔中设置有用于承载待加工工件的承载台，其中：

所述上拱顶包括拱顶环和透明的拱顶本体，所述拱顶本体与所述拱顶环连接，所述拱顶环叠置在所述基座环上，所述拱顶本体具备向上拱起的顶面和与所述承载台的承载面平行的底面，所述拱顶本体的底面为连续面，并用于阻止反应气体沿竖直方向向上扩散；

所述拱顶本体包括透明的上壳和下壳，所述上壳向上拱起，所述下壳呈平板状，所述拱顶本体还包括：设置在所述上壳及所述下壳之间的加强结构。

2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述上壳及所述下壳分别与所述拱顶环连接，且均被所述拱顶环周向围绕。

3.如权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述下壳的底面与所述拱顶环的底面平齐。

4.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述加强结构包括环绕所述拱顶本体的轴线均匀设置的多个支撑柱，所述支撑柱均沿竖直方向延伸至与所述上壳及所述下壳接触。

5.如权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述上壳及所述下壳分别与所述拱顶环密封连接，所述上壳、所述下壳及所述拱顶环配合围成一密封腔，该密封腔中的气压小于标准大气压。

6.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述加强结构包括设置在所述下壳上且位于所述上壳和所述下壳之间的加强筋组，所述加强筋组包括加强筋环以及加强筋棱，所述加强筋环环绕所述拱顶本体的轴线设置，所述加强筋棱环绕所述加强筋环呈放射状设置。

7.如权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述上壳及所述下壳分别与所述拱顶环密封连接，所述上壳、所述下壳及所述拱顶环配合围成一密封腔，该密封腔中的气压为标准大气压。

8.一种半导体外延设备，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的反应腔室。