[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 202010286369.9 | 申请日: | 2020-04-13 |
公开(公告)号: | CN111477635B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 蔡俊飞 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G06V40/13;H10K59/40;H10K59/126;H10K59/131 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
设置于基板一侧的阵列电路层以及设置于所述阵列电路层远离所述基板一侧的发光器件层,所述发光器件层包括自所述阵列电路层一侧层叠设置的第一电极层、发光层和第二电极层;
其中所述阵列电路层包括设置于所述基板一侧的至少三层金属层,其中所述金属层包括电路结构部,所述至少三层金属层中的任一层作为遮光层,其他所述金属层中的至少一层作为辅助遮光层,所述遮光层包括遮光部,所述遮光部与同层的所述电路结构部绝缘设置形成镂空部;所述遮光部开设有至少一个过孔,在所述显示面板的厚度方向上,所述过孔与所述辅助遮光层、所述第一电极层均无交叠;
所述第一电极层和/或所述辅助遮光层在所述基板上的正交投影覆盖所述镂空部在所述基板上的正交投影。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列电路层包括多个薄膜晶体管和多个电容;
所述阵列电路层包括自所述基板一侧向远离所述基板方向设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层,其中所述第一金属层的所述电路结构部包括所述薄膜晶体管的栅极、所述电容的第一极板和栅极线,所述第二金属层的所述电路结构部包括所述电容的第二极板,所述第三金属层的所述电路结构部包括薄膜晶体管的源漏部、数据线和电源线,其中所述第二金属层作为所述遮光层,所述镂空部围绕所述第二极板,所述第一金属层和/或所述第三金属层作为所述辅助遮光层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述多个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管;
所述第三金属层的源漏部包括第一部和第二部,所述第一薄膜晶体管的第一部与所述第一电极层电连接;
同一所述第一薄膜晶体管的第一部在所述基板上的正交投影和所述栅极在所述基板上的正交投影之间包括第一区域,所述第一电极层在所述基板上的正交投影覆盖所述第一区域;
同一所述第一薄膜晶体管的第二部在所述基板上的正交投影和所述栅极在所述基板上的正交投影之间包括第二区域,所述遮光部在所述基板上的正交投影覆盖所述第二区域。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述多个薄膜晶体管还包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管或所述电容电连接,同一所述第二薄膜晶体管的第一部在所述基板上的正交投影和所述栅极在所述基板上的正交投影之间包括第三区域,同一所述第二薄膜晶体管的第二部在所述基板上的正交投影和所述栅极在所述基板上的正交投影之间包括第四区域,所述遮光部在所述基板上的正交投影覆盖所述第三区域和所述第四区域。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述电容的第一极板和所述第二极板均包括至少一个过孔,在垂直于所述显示面板出光面的方向上,所述第一极板的过孔位置与所述第二极板的过孔位置相对应。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列电路层包括多个薄膜晶体管和多个电容;
所述阵列电路层包括自所述基板一侧向远离所述基板方向设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层,其中所述第一金属层的所述电路结构部包括所述薄膜晶体管的栅极、所述电容的第一极板和栅极线,所述第二金属层的所述电路结构部包括所述电容的第二极板,所述第三金属层的所述电路结构部包括薄膜晶体管的源漏部、信号传输线;
所述第一金属层作为所述遮光层,所述第二金属层和/或所述第三金属层作为辅助遮光层;所述遮光部设置于相邻两条所述栅极线之间,且所述遮光部与两侧的栅极线之间包括所述镂空部;
或者所述第三金属层作为遮光层,所述第一金属层和/或所述第二金属层作为辅助遮光层;所述遮光部设置于相邻两条所述信号传输线之间,所述遮光部与两侧的所述信号传输线之间包括所述镂空部,其中所述信号传输线包括数据线和电源线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的