[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 202010286369.9 | 申请日: | 2020-04-13 |
公开(公告)号: | CN111477635B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 蔡俊飞 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G06V40/13;H10K59/40;H10K59/126;H10K59/131 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置,显示面板中阵列电路层包括设置于基板一侧的至少三层金属层,其中金属层包括电路结构部,至少三层金属层中的任一层作为遮光层,其他金属层中的至少一层作为辅助遮光层,遮光层包括遮光部,遮光部与同层的电路结构部绝缘设置形成镂空部;遮光部开设有至少一个过孔,在显示面板的厚度方向上,过孔与辅助遮光层、第一电极层均无交叠;第一电极层和/或辅助遮光层在基板上的正交投影覆盖镂空部在基板上的正交投影。本发明技术方案,可以简化显示面板的制作工艺,有利于降低生产成本;有利于实现显示面板的轻薄化;有利于提高指纹识别精度。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,屏下指纹识别结构在显示面板中的应用越来越广泛。
现有显示面板中,利用小孔成像原理开发的光学指纹识别技术以其高精度的优势被广泛应用,该技术主要在显示面板中集成一层开设有小孔的遮光膜层,即MAPIS(Matrixpinhole image sensing system,矩阵小孔成像系统)层。
然而,现有包括开设有小孔遮光膜层的显示面板工艺较为复杂,成本较高,且不利于显示面板的轻薄化。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,以实现屏下指纹识别的同时,简化显示面板的工艺,降低生产成本以及实现显示面板的轻薄化。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:
基板;
设置于基板一侧的阵列电路层以及设置于阵列电路层远离基板一侧的发光器件层,发光器件层包括自阵列电路层一侧层叠设置的第一电极层、发光层和第二电极层;
其中阵列电路层包括设置于基板一侧的至少三层金属层,其中金属层包括电路结构部,至少三层金属层中的任一层作为遮光层,其他金属层中的至少一层作为辅助遮光层,遮光层包括遮光部,遮光部与同层的电路结构部绝缘设置形成镂空部;遮光部开设有至少一个过孔,在显示面板的厚度方向上,过孔与辅助遮光层、第一电极层均无交叠;
第一电极层和/或辅助遮光层在基板上的正交投影覆盖镂空部在基板上的正交投影。
可选的,阵列电路层包括多个薄膜晶体管和多个电容;
阵列电路层包括自基板一侧向远离基板方向设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层,其中第一金属层的电路结构部包括薄膜晶体管的栅极、电容的第一极板和栅极线,第二金属层的电路结构部包括电容的第二极板,第三金属层的电路结构部包括薄膜晶体管的源漏部、数据线和电源线,其中第二金属层作为遮光层,镂空部围绕第二极板,第一金属层和/或第三金属层作为辅助遮光层。
可选的,多个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管;
第三金属层的源漏部包括第一部和第二部,第一薄膜晶体管的第一部与第一电极层电连接;
同一第一薄膜晶体管的第一部在基板上的正交投影和栅极在基板上的正交投影之间包括第一区域,第一电极层在基板上的正交投影覆盖第一区域;
同一第一薄膜晶体管的第二部在基板上的正交投影和栅极在基板上的正交投影之间包括第二区域,遮光部在基板上的正交投影覆盖第二区域;
可选的,多个薄膜晶体管还包括第二薄膜晶体管,第二薄膜晶体管与第一薄膜晶体管或电容电连接,同一第二薄膜晶体管的第一部在基板上的正交投影和栅极在基板上的正交投影之间包括第三区域,同一第二薄膜晶体管的第二部在基板上的正交投影和栅极在基板上的正交投影之间包括第四区域,遮光部在基板上的正交投影覆盖第三区域和第四区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的