[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010288407.4 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN112420834A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 林政明;杨世海;方子韦;徐志安;赵皇麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
第一间隔件和第二间隔件，位于所述衬底上；以及
栅极堆叠，位于所述第一间隔件和所述第二间隔件之间，所述栅极堆叠包括：
栅极介电层，包括位于所述衬底上的第一部分和位于所述第一间隔件和所述第二间隔件上的第二部分；
内部栅极，位于所述栅极介电层的所述第一部分和所述第二部分上；
铁电介电层，位于所述内部栅极上并且与所述栅极介电层接触；和
栅电极，位于所述铁电介电层上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括负电容场效应晶体管(NCFET)器件。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括铁电场效应晶体管(FeFET)器件。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述衬底上的鳍，其中，所述栅极堆叠位于所述鳍上。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述铁电介电层位于所述内部栅极和所述栅电极之间。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述铁电介电层位于所述栅极介电层的所述第二部分与所述栅电极之间。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述铁电介电层通过非线性表面与所述栅极介电层的所述第二部分物理接触。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极介电层的所述第二部分具有非线性表面。
9.一种形成半导体器件的方法，包括：
形成第一间隔件和第二间隔件；
在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间以及在所述第一间隔件和所述第二间隔件的侧壁上沉积栅极介电层；
在所述栅极介电层上形成内部栅极，其中，形成所述内部栅极包括：
在所述栅极介电层上形成第一金属层；和
在所述第一金属层上选择性地沉积第二金属层；
在所述内部栅极和所述栅极介电层上沉积铁电介电层；以及
在所述铁电介电层上形成栅电极。
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
形成鳍；
在所述鳍上形成第一间隔件和第二间隔件；
在所述鳍上以及所述第一间隔件和所述第二间隔件的侧壁上沉积栅极介电层；
在所述栅极介电层上形成内部栅极，其中，形成所述内部栅极包括：
在所述栅极介电层上沉积第一金属层；
在所述第一金属层的部分上形成阻挡层；
去除所述第一金属层的未被所述阻挡层覆盖的部分；
去除所述阻挡层；和
在所述第一金属层上选择性地沉积第二金属层；
回蚀刻所述栅极介电层；
在所述内部栅极和所述栅极介电层上沉积铁电介电层；以及
在所述铁电介电层上形成栅电极。
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