[发明专利]一种电子元器件用铜锆合金及其制备方法

权利要求书

1.一种电子元器件用铜锆合金的制备方法，其特征在于，铜锆合金的成分包括：Zr0.05wt％-0.4wt％，Mg 0.05wt％-0.2wt％，Si 0.03wt％-0.15wt％，稀土0.01wt％-0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质元素；其中，所述不可避免的杂质元素含量总和小于0.1wt％，Zr、Mg、Si元素质量百分比满足(Zr+Mg)/Si＞2；其制备方法具体包括以下步骤：

(1)熔化：将铜装入感应熔炼炉，添加覆盖剂，在惰性气体保护下进行熔化，并进行除气处理，得到铜熔体；

(2)合金化：将中间合金依次加入铜熔体中，得到铜合金熔体；

(3)铸造：对经步骤(2)所得铜合金熔体进行铸造，获得铸坯，铸造温度为1180℃-1250℃；

(4)热轧：对步骤(3)所得铸坯进行加热热轧和在线淬火，热轧加热温度为880℃～960℃，保温4h，终轧温度不低于700℃；

(5)粗轧：对经步骤(4)所得铜合金热轧坯进行冷轧变形，变形量70％～95％；

(6)时效：对步骤(5)所得铜合金冷轧铜带进行时效处理，时效温度为380℃～450℃，保温时间为2h～6h；

(7)精轧：将步骤(6)所得的时效带材进行50％～80％变形量的冷轧变形；

(8)成品处理：将经步骤(7)得到的带材进行去应力退火、矫直分切处理。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法采用非真空熔铸制备合金铸锭。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，中间合金的加入顺序为Cu-Mg、Cu-Si、铜-稀土、Cu-Zr。