[发明专利]一种低密度高应变点的无碱电子玻璃及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010303869.9 申请日: 2020-04-17
公开(公告)号: CN111484244B 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 卢安贤;刘建磊;刘涛涌 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C03C3/091 分类号: C03C3/091;C03C1/00;C03C6/04;C03C4/00;C03B19/02
代理公司: 北京惠科金知识产权代理有限公司 11981 代理人: 刘潇
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 密度 应变 电子 玻璃 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低密度高应变点的无碱电子玻璃,其特征在于:玻璃组成摩尔百分比为3%的B2O3、19.5%的Al2O3、57%的SiO2、20%的MgO和0.5%的SrO,外加澄清剂SnO2为所述玻璃组成质量的0.2%。

2.根据权利要求 1所述的一种低密度高应变点的无碱电子玻璃,其特征在于:SiO2、Al2O3为分析纯氧化物试剂;B2O3由分析纯H3BO3引入,MgO、SrO分别由分析纯MgCO3、SrCO3引入。

3.根据权利要求 1-2任一项所述的一种低密度高应变点的无碱电子玻璃,其特征在于制备步骤如下:

1)将摩尔百分比为3%的B2O3、19.5%的Al2O3、57%的SiO2、20%的MgO、0.5%的SrO的基础玻璃组成换算成质量百分比,即质量百分含量,3.22%的B2O3、30.68%的Al2O3、52.86%的SiO2、12.44%的MgO、0.8%的SrO;

2)将步骤1得到的基础玻璃的重量百分比换算成所需原料用量,加入原料用量总质量0.2%的SnO2

3)用分析天平准确称量各原料,随后将所有玻璃原料装入研钵或混料机中混合均匀,制得玻璃配合料;

4)将混合均匀的玻璃配合料置于刚玉坩埚、铂金坩埚或熔化池炉中,随后在高温箱式电阻炉或池炉中于1650~1680℃下熔融3h;

5)将熔制均匀的玻璃液倒入预热的不锈钢模具中成型,随后转移至680℃的马弗炉中退火10h,以消除玻璃结构中的残余热应力;

6)退火结束后,试样随炉冷却至室温,得到透明、无气泡、成分均匀的无碱电子玻璃,玻璃的密度为2.622g/cm3,应变点为738℃,热膨胀系数为28.21×10-7/℃,抗弯强度为68MPa,在HF溶液中腐蚀20min的单位面积腐蚀量为5.541mg/cm2,在NaOH溶液中腐蚀6h的单位面积腐蚀量为2.114mg/cm2

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