[发明专利]极化半导体晶片的装置和制造磁性半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202010331592.0 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111952443A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 吴俊纬;曾瓅;张家熏;王文志;蒯光国 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 极化 半导体 晶片 装置 制造 磁性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于制造磁性半导体装置的方法，其包括：
接收半导体晶片；
将所述半导体晶片安置于第一电磁元件下方，其中从俯视视角看，所述第一电磁元件包括主尺寸及副尺寸，所述主尺寸大于所述副尺寸；及
使所述半导体晶片沿着沿所述第一电磁元件的所述副尺寸的预定路径位移。
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