[发明专利]极化半导体晶片的装置和制造磁性半导体装置的方法

说明书

本发明实施例涉及极化半导体晶片的装置和制造磁性半导体装置的方法。本发明实施例提供一种用于制造磁性半导体装置的方法，其包含：接收半导体晶片；将所述半导体晶片安置于第一电磁元件下方，其中从俯视视角看，所述第一电磁元件包括主尺寸及副尺寸，所述主尺寸大于所述副尺寸；及使所述半导体晶片沿着沿所述第一电磁元件的所述副尺寸的预定路径位移。

技术领域

本发明实施例涉及极化半导体晶片的装置和制造磁性半导体装置的方法。

背景技术

磁性装置为广泛用于包含无线电、电视、移动电话及个人运算装置的电子应用的半导体装置。一类型的熟知磁性装置为半导体存储装置，例如磁性随机存取存储器(MRAM)。

发明内容

本发明的一实施例涉及一种用于制造磁性半导体装置的方法，其包括：接收半导体晶片；将所述半导体晶片安置于第一电磁元件下方，其中从俯视视角看，所述第一电磁元件包括主尺寸及副尺寸，所述主尺寸大于所述副尺寸；及使所述半导体晶片沿着沿所述第一电磁元件的所述副尺寸的预定路径位移。

本发明的一实施例涉及一种用于极化磁性半导体装置的方法，其包括：接收具有磁性半导体装置的半导体晶片；将所述半导体晶片安置于电磁元件下方，所述电磁元件具有主尺寸及短于所述主尺寸的副尺寸；使所述半导体晶片沿平行于所述半导体晶片的直径的第一方向位移；及裸片锯切所述半导体晶片。

本发明的一实施例涉及一种用于极化半导体晶片的装置，其包括：支撑件，其经配置以支撑所述半导体晶片；及电磁元件，其与所述支撑件重叠，从俯视视角看，所述电磁元件包括主尺寸及副尺寸，所述主尺寸大于所述副尺寸。

附图说明

从结合附图解读的以下详细描述最好地理解本揭示的方面。应注意，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1A是磁性半导体装置的说明图。

图1B展示磁性半导体装置的平行状态与反平行状态之间的电阻率比较。

图2A是绘示根据本发明的一些比较实施例的用于极化半导体晶片的装置的示意图。

图2B是绘示根据本发明的一些比较实施例的用于极化半导体晶片的装置的示意图。

图3展示表示根据本发明的一些实施例的用于制造磁性半导体装置的方法的流程图。

图4展示表示根据本发明的一些实施例的用于制造磁性半导体装置的方法的流程图。

图5是绘示根据本发明的一些实施例的用于制造磁性半导体装置的装置的示意图。

图6是绘示根据本发明的一些实施例的用于制造磁性半导体装置的装置的横截面图的示意图。

图7是绘示根据本发明的一些实施例的极化半导体晶片的操作期间的电磁元件及半导体晶片的预定路径的俯视透视图的示意图。

图8A到8F是绘示根据本发明的一些实施例的具有各种类型的形状的电磁元件的俯视透视图的示意图。

图9是绘示根据本发明的一些实施例的极化半导体晶片的操作期间的电磁元件及半导体晶片的预定路径的俯视透视图的示意图。

图9A是绘示根据本发明的一些实施例的电磁元件的位置相对于半导体晶片的位置的改变的示意图。

图10是绘示根据本发明的一些实施例的极化半导体晶片的操作期间的电磁元件及半导体晶片的预定路径的俯视透视图的示意图。

图10A是绘示根据本发明的一些实施例的电磁元件的位置相对于半导体晶片的位置的改变的示意图。