[发明专利]发光堆叠件和具有该发光堆叠件的显示装置在审

专利信息
申请号: 202010354460.X 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN111525006A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 蔡钟炫;张成逵;李豪埈 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/08 分类号: H01L33/08;H01L33/58;H01L33/62;H01L27/15
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 姜长星;刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 堆叠 具有 显示装置
【权利要求书】:

1.一种发光堆叠件,包括:

多个外延堆叠件,被依次堆叠并且向上部方向射出彼此不同的波段的颜色光;以及

多个接触部,设置在多个所述外延堆叠件的下部并且施加共电压和发光信号。

2.如权利要求1所述的发光堆叠件,其中,还包括:

基底,设置在所述外延堆叠件的下部,并且设置有连接到所述接触部的布线部。

3.如权利要求2所述的发光堆叠件,其中,

多个所述外延堆叠件包括依次堆叠在所述基底上的第一外延堆叠件至第三外延堆叠件。

4.如权利要求3所述的发光堆叠件,其中,

所述接触部包括:

公共接触部,向所述第一外延堆叠件至所述第三外延堆叠件施加所述共电压;以及

第一接触部至第三接触部,向所述第一外延堆叠件至所述第三外延堆叠件分别施加所述发光信号。

5.如权利要求4所述的发光堆叠件,其中,

所述第一外延堆叠件至所述第三外延堆叠件各自包括依次设置在所述基底上的p型半导体层、活性层以及n型半导体层,

所述公共接触部连接到所述第一外延堆叠件至所述第三外延堆叠件的所述p型半导体层,所述第一接触部至所述第三接触部分别连接到所述第一外延堆叠件至所述第三外延堆叠件的所述n型半导体层。

6.如权利要求5所述的发光堆叠件,其中,

所述第一外延堆叠件具有所述p型半导体层、所述活性层以及所述n型半导体层的一部分被去除而暴露所述n型半导体层的下面的凹陷部,所述第一接触部连接到所述凹陷部内的所述n型半导体层的下面。

7.如权利要求6所述的发光堆叠件,其中,

所述第一接触部包括设置在所述第一外延堆叠件的下部的第一垫电极,在平面上观察时,所述第一垫电极的面积大于所述凹陷部的面积。

8.如权利要求7所述的发光堆叠件,其中,

所述第一接触部包括设置在所述第一垫电极的下部的第一垫,所述第一垫大于所述凹陷部的面积。

9.如权利要求8所述的发光堆叠件,其中,

所述第二接触部和所述第三接触部分别还包括设置在所述第一外延堆叠件的下部的第二垫电极和第三垫电极。

10.如权利要求9所述的发光堆叠件,其中,

所述公共接触部还包括设置在所述第一外延堆叠件的下部的公共垫电极。

11.如权利要求10所述的发光堆叠件,其中,

所述公共垫电极以及第一垫电极至第三垫电极用相同材料设置在同一层。

12.如权利要求6所述的发光堆叠件,其中,

所述第二外延堆叠件和所述第三外延堆叠件中的至少一个的n型半导体层具有在其上面形成的凹凸部。

13.如权利要求6所述的发光堆叠件,其中,还包括:

第一p型电极至第三p型电极,分别连接到所述第一外延堆叠件至所述第三外延堆叠件的所述p型半导体层。

14.如权利要求13所述的发光堆叠件,其中,

所述第一p型电极设置在所述基底和所述第一外延堆叠件之间。

15.如权利要求13所述的发光堆叠件,其中,

所述第二p型电极设置在所述第一外延堆叠件和所述第二外延堆叠件之间。

16.如权利要求15所述的发光堆叠件,其中,

所述第二p型电极包括透明导电性材料。

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