[发明专利]具有低密度热屏障的存储器装置

权利要求书

1.一种方法，其包括：

形成经配置以存储数据的单元材料；

形成具有与所述单元材料相关联的第一密度的屏障材料；

将等离子体应用到所述屏障材料以形成所述屏障材料的具有不同于所述第一密度的第二密度的部分，所述屏障材料的所述部分经配置以使所述单元材料热绝缘；及

形成经配置以通过所述屏障材料与所述单元材料通信的存取线，所述存取线接触所述屏障材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

形成接触所述单元材料及所述屏障材料的第一导电材料，其中所述屏障材料经配置以隔离所述第一导电材料与所述存取线的材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述屏障材料包括扩散屏障材料，其经配置以限制所述第一导电材料与所述存取线的所述材料之间的扩散。

4.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述第一导电材料接触包括所述第二密度的所述屏障材料的所述部分；且

所述存取线包括字线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二密度小于所述第一密度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述存取线接触所述屏障材料的所述部分且包括数字线。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在将所述等离子体应用到所述屏障材料之前将所述屏障材料暴露于空气。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述屏障材料包括氮化硅钨。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

确定所述屏障材料的所述部分中的硅、钨、氮或其任何组合的比例；

至少部分基于所述比例确定所述等离子体中的双氮量；及

至少部分基于确定所述双氮量或所述屏障材料的电阻率将所述等离子体应用到所述屏障材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中与所述等离子体相关联的气体包括双氮。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述气体进一步包括氦。

12.一种设备，其包括：

第一存取线，其经配置以与单元组件通信；

第一屏障材料，其定位于所述单元组件与所述第一存取线之间，所述第一屏障材料具有第一密度且经配置以使所述单元组件热绝缘；及

第二屏障材料，其定位于所述单元组件与第二存取线之间，所述第二屏障材料具有不同于所述第一密度的第二密度且经配置以使所述单元组件热绝缘。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述第一密度小于所述第二密度。

14.根据权利要求12所述的设备，其中所述第一屏障材料的电阻率不同于所述第二屏障材料的所述电阻率。

15.根据权利要求12所述的设备，其进一步包括：

第一导电材料，其定位于所述第一屏障材料与所述单元组件之间，其中所述第一屏障材料进一步经配置以隔离所述第一导电材料与所述第一存取线的材料；及

第二导电材料，其定位于所述第二屏障材料与所述单元组件之间，其中所述第二屏障材料进一步经配置以隔离所述第二导电材料与所述第二存取线的材料。

16.根据权利要求12所述的设备，其中所述第一屏障材料及所述第二屏障材料包括相同类型的屏障材料。