[发明专利]具有低密度热屏障的存储器装置

说明书

本申请涉及一种具有低密度热屏障的存储器装置。所述热屏障(例如，低密度热屏障)可定位于存取线(例如，数字线或字线)与单元组件之间。所述热屏障可通过对屏障材料应用等离子体处理形成于所述屏障材料的表面上。所述热屏障可具有比所述屏障材料低的密度，且可经配置以使所述单元组件与所述存储器装置中生成的热能热绝缘，以及其它益处。

交叉参考

本专利申请案主张由郑(Zheng)等人在2019年5月1日申请的标题为“具有低密度热屏障的存储器装置(MEMORY DEVICE WITH LOW DENSITY THERMAL BARRIER)”的第16/400,956号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案经指派给其受让人且以其全文引用的方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及具有低密度热屏障的存储器装置。

背景技术

下文大体上涉及形成具有低密度热屏障的存储器装置，且更明确来说，涉及具有低密度热屏障的存储器装置。

存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、相机、数字显示器及类似物。信息通过编程存储器装置的不同状态存储。举例来说，二进制装置具有两种状态，通常标示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可存储两种以上状态。为了存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它存储器。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可维持其存储的逻辑状态达延长的时间周期，即使是在缺少外部电源的情况下。易失性存储器单元可随着时间的推移丢失其存储的状态，除非其由外部电源周期性地刷新。

在一些案例中，存储器装置可对存储器单元执行存取操作(例如，读取操作或写入操作)。执行存取操作可在存储器单元处或附近生成热。生成的热可消散到附近组件上，例如存储器单元，且在一些案例中，可干扰由其它存储器单元存储的状态。

发明内容

描述一种方法。所述方法包含：形成经配置以存储数据的单元材料；形成具有与所述单元材料相关联的第一密度的屏障材料；将等离子体应用到所述屏障材料以形成所述屏障材料的具有不同于所述第一密度的第二密度的部分，所述屏障材料的所述部分经配置以使所述单元材料热绝缘；及形成经配置以通过所述屏障材料与所述单元材料通信的存取线，所述存取线接触所述屏障材料。

描述一种设备。所述设备包含：第一存取线，其经配置以与单元组件通信；第一屏障材料，其定位于所述单元组件与所述第一存取线之间，所述第一屏障材料具有第一密度且经配置以使所述单元组件热绝缘；及第二屏障材料，其定位于所述单元组件与第二存取线之间，所述第二屏障材料具有不同于所述第一密度的第二密度且经配置以使所述单元组件热绝缘。

描述一种设备。所述设备包含：第一存取线，其经配置以与单元组件通信；第一屏障，其定位于所述单元组件与所述第一存取线之间，所述第一屏障包括包含第一氮化硅钨密度的第一部分及包含大于所述第一氮化硅钨密度的第二氮化硅钨密度的第二部分；及第二屏障，其定位于所述单元组件与第二存取线之间，所述第二屏障包括包含第三氮化硅钨密度的第三部分及包含大于所述第三氮化硅钨密度的第四氮化硅钨密度的第四部分。

附图说明

图1说明根据本文中所揭示的实例的支持具有低密度热屏障的存储器装置的存储器装置的实例。

图2说明根据本文中所揭示的实例的支持具有低密度热屏障的存储器装置的存储器阵列的实例。